Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
При низкой оригинальности работы "Модифікація структурних характеристик поверхні (001) кремнію в мікроелектронній технології", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
