Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
При низкой оригинальности работы "Моделювання субмікронних гетеротранзисторів з низькорозмірними системами", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
