Квантовые точки Ge/Si. "Кулоновская щель" в плотности состояний. Общее представление о прыжковой проводимости. Нахождение распределения носителей в массиве квантовых точек. Возбуждение и релаксация в массиве квантовых точек, результаты моделирования.
При низкой оригинальности работы "Моделирование возбуждения и релаксации прыжковой проводимости двумерного массива квантовых точек", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Глава 1. Литературный обзор §1.1 Квантовые точки Ge/Si 1.1.1 Квантовые точки 1.1.2 Формирование квантовых точек §1.2 Кулоновская щель в плотности состояний §1.3 Прыжковая проводимость 1.3.1 Общее представление о прыжковой проводимости 1.3.2 Модель сетки сопротивлений Миллера и Абрахамса 1.3.3 Закон Эфроса-Шкловского 1.3.4 Кинетика фотопроводимости Глава 2. Результаты моделирования §3.1 Параметры модели §3.2 Кулоновская щель §3.3 Температурная зависимость проводимости § 3.4 Возбуждение и релаксация системы Основные результаты и выводы Список литературы Введение Открытие полупроводниковых гетероструктур было сделано еще в середине 60-х годов, и последующий переворот в информационных технологиях, к которому привело это открытие, был отмечен Нобелевской премией по физике 2000 года. В квантовых точках носители заряда заключены в ограниченном объёме пространства, поэтому квантовые точки обладают дискретным спектром носителей заряда. §1.2 Кулоновская щель в плотности состояний Для правильного описания плотности состояний системы как функции энергии необходим учет кулоновского взаимодействия, поскольку большая плотность массива квантовых точек Ge/Si приводит к сильному взаимодействию между ними. Как правило, кулоновское взаимодействие приводит к формированию щели Шкловского-Эфроса в плотности состояний, и плотность состояний на уровне Ферми обращается в нуль. А при наличии кулоновской щели температурная зависимость описывается законом Эфроса-Шкловского.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
