Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
Аннотация к работе
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ Херсонський національний технічний університет Кафедра фізичної електроніки й енергетики РОЗРАХУНКОВО-ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА ДО РОЗРАХУНКОВО-ГРАФИЧНОЇ РОБОТИ з дисципліни “МОДЕЛЮВАННЯ В ЕЛЕКТРОНІЦІ” на тему: “Моделювання розподілу домішків в базі дрейфового біполярного транзистора” 2007 р Задани Построить зависимость прямого коэффициента усиления по току ВN от частоты BN=f(f) и зависимость предельной частоты от тока эмиттера (коллектора) fT=f(IK) для кремниевого биполярного дрейфового n-p-n транзистора, если задано: - концентрация примеси на переходе коллектор-база - NКБ = 3•1015 см-3; - концентрация примеси на переходе эмиттер-база - NЭБ = 1,5•1017 см-3; - толщина базы по металлургическим границам p-n переходов - Wбо = 1,2 мкм; - площадь эмиттера - SЭ = 8•10-5 см2; - площадь коллектора- SК = 1,2•10-4 см2; - сопротивление области коллектора - RK = 35 Ом; - сопротивление базы - rб = 45 Ом; - собственная концентрация носителей в кремнии - ni =1,4•1010 см-3; - константа для расчета времени жизни электронов - ?no= 1,5•10-6 с; - константа для расчета времени жизни дырок - ?po = 3,6•10-7 с; - рабочее напряжение на коллекторе (напряжение измерения параметров)- VK = 4 В; - диапазон рабочих токов эмиттера (коллектора) IЭ= IК = (0,1 - 100) мА. Расчет вспомогательных величин, необходимых для дальнейших расчетов Все величины рассчитываются для нормальных условий (Р=1 атм., Т= 3000К). Контактная разность потенциалов на p-n переходах определяется по выражению [1,6]: ;(1.1.) где: - ?Т - тепловой потенциал, , равный при Т = 3000К, ?Т = 0,026В; Npn - концентрация примеси на p-n переходе.