Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного транзистора - Лабораторная работа

бесплатно 0
4.5 149
Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:


Аннотация к работе
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ Херсонський національний технічний університет Кафедра фізичної електроніки й енергетики РОЗРАХУНКОВО-ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА ДО РОЗРАХУНКОВО-ГРАФИЧНОЇ РОБОТИ з дисципліни “МОДЕЛЮВАННЯ В ЕЛЕКТРОНІЦІ” на тему: “Моделювання розподілу домішків в базі дрейфового біполярного транзистора” 2007 р Задани Построить зависимость прямого коэффициента усиления по току ВN от частоты BN=f(f) и зависимость предельной частоты от тока эмиттера (коллектора) fT=f(IK) для кремниевого биполярного дрейфового n-p-n транзистора, если задано: - концентрация примеси на переходе коллектор-база - NКБ = 3•1015 см-3; - концентрация примеси на переходе эмиттер-база - NЭБ = 1,5•1017 см-3; - толщина базы по металлургическим границам p-n переходов - Wбо = 1,2 мкм; - площадь эмиттера - SЭ = 8•10-5 см2; - площадь коллектора- SК = 1,2•10-4 см2; - сопротивление области коллектора - RK = 35 Ом; - сопротивление базы - rб = 45 Ом; - собственная концентрация носителей в кремнии - ni =1,4•1010 см-3; - константа для расчета времени жизни электронов - ?no= 1,5•10-6 с; - константа для расчета времени жизни дырок - ?po = 3,6•10-7 с; - рабочее напряжение на коллекторе (напряжение измерения параметров)- VK = 4 В; - диапазон рабочих токов эмиттера (коллектора) IЭ= IК = (0,1 - 100) мА. Расчет вспомогательных величин, необходимых для дальнейших расчетов Все величины рассчитываются для нормальных условий (Р=1 атм., Т= 3000К). Контактная разность потенциалов на p-n переходах определяется по выражению [1,6]: ;(1.1.) где: - ?Т - тепловой потенциал, , равный при Т = 3000К, ?Т = 0,026В; Npn - концентрация примеси на p-n переходе.

Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?