Создание однокаскадной модели кремниевого солнечного элемента на основе гомогенного p-n перехода в среде моделирования фотоэлектрических устройств. Оценка влияния уровня легирования и толщины n -слоя на вольт-амперные характеристики и КПД элементов.
При низкой оригинальности работы "Моделирование конструкции кремниевых солнечных элементов с использованием программы PC1D", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
