Методы моделирования характеристик КМОП транзисторов с учетом высокочастотных эффектов. Проектирование высокочастотного усилителя на МОП транзисторе с использованием S-параметров. Сравнение измеренных и рассчитанных характеристик усилителя на транзисторе.
При низкой оригинальности работы "Моделирование и изготовление высокочастотного усилителя на МОП транзисторе", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
1. Обзор литературы 1.1 Методы моделирования характеристик КМОП транзисторов с учетом высокочастотных эффектов 1.2 Модели КМОП транзисторов для анализа схем с учетом высокочастотных эффектов 1.3 Методы измерения характеристик КМОП транзисторов с учетом высокочастотных эффектов 2. Экспериментальная часть 2.1 Измерительное оборудование для измерений статичных и динамических параметров высокочастотных КМОП схем 2.2 Программное обеспечение для моделирования и исследования высокочастотных схем 2.3 Описание тестового транзистора 2.4 Измерение характеристик и параметров КМОП элемента 2.5 Проектирование высокочастотного усилителя на МОП транзисторе с использованием S-параметров 2.6 Изготовление высокочастотного усилителя на МОП транзисторе и измерение его характеристик и параметров 2.7 Сравнение измеренных и рассчитанных характеристик усилителя на МОП транзисторе Заключение (выводы) Список литературы Введение высокочастотный усилитель транзистор В настоящее время, многие электронные приборы работают на высоких и сверхвысоких частотах (до 1 ГГц). На сайте калифорнийского университета “Berkley” [4] приведены лабораторные работы, связанные с высокочастотными схемами. В книге «Энциклопедия устройств на полевых транзисторах» [5] приведены формулы расчёта микрополосковых линий на высоких частотах, а также схемы усилителей на МОП транзисторах. В статье «Design of a Low Noise Amplifier using AWR Microwave Office» [6] приводится процесс проектирования высокочастотного усилителя в рабочей среде AWR Microwave Office, а также сравнение измеренных и смоделированных параметров усилителя. 1.1 Методы моделирования характеристик КМОП транзисторов с учетом высокочастотных эффектов В работе «A Comparative Study of Various MOSFET Models at Radio» [2] рассмотрим поведение МОП транзистора на высоких частотах, используя корректную эквивалентную схему. С другой стороны, в области насыщения Cin может быть найдена как: (1.1.2) С помощью Rin и Cin параметр S11 может быть выражен как (1.1.3) где: Z0 базовый импеданс (обычно 50 Ом). Общий вид установки приведен на рисунке 1.1.6. Рис. 1.1.6 Схема измерения S-параметров МОП транзистора Рис. 1.1.6 Вид установки для измерения S-параметров Погрешность % EKV Bsim3v3 MOS9 S11 амплитуда 31 31.8 30.7 S11 угол 11.1 13.4 9.9 S21 амплитуда 10.8 12 14.3 S21 угол 30 23.8 24.3 S12 амплитуда 9.8 10.9 6.7 S12 угол 7.3 8.5 6.4 S22 амплитуда 21.2 17 27.5 S22 угол 16.4 17.4 13.6 Средняя 17.2 16.9 16.7 Как видим по средней погрешности, лучшей моделью оказалась MOS9, хотя модель BSIM3v3 отличается всего на 0.2%.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
