Планаризация как низкотемпературный процесс, при котором сглаживается рельеф поверхности пластины. Дефекты двухуровневой металлизации. Назначение проводящих слоев в многослойной металлизации. Многокристальные модули типа MKM-D и МКМ-А, характеристики.
При низкой оригинальности работы "Многоуровневая металлизация ГИС и БГИС на основе анодированного алюминия", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Однако из-за возможного взаимодействия между Al и TiN при температуре ~500°C необходимо наличие какого-либо слоя (например Ti) между нитридом и Аl, если применяется высокотемпературная обработка. Та реагирует с Si только при температуре выше 600 °C и образует соединение с Аl (Аl3Та) при температуре выше 450 °С. После того как структура прибора окончательно сформирована, на последний металлический слой должна быть нанесена пассивирующая пленка. Внешние выводы кристалла присоединяют к слою металлизации черев окна, вытравленные в пассивирующей пленке. Недостатки Al-металлизации: 1) низкая температура эвтектики Al-Si (5770C); 2) высокая растворимость Si в Al в твёрдой фазе (около 1% при 5000С), при охлаждении Si охлаждается по границам зёрен и уменьшает механическую прочность контакта.; 3) низкая механическая прочность из-за мягкости; 4) большая разница в КТР Al и Si, SiO2 ; 5) химическое взаимодействие с SiO2 , которое начинается при 4500С и идёт интенсивно при 5000С > 22 33 42 3Oi SlAlAOSi 6) значительная электродиффузия, которая появляется при плотностях тока 5?104 А/см2 и Т=1500С, т. е. в реальных условиях работа микросхем средней и большой можности; 7) низкая стоимость по отношению к кислотам, щёлочам и склонность к коррозии; 8) образование при повышенных температурах хрупких нтерметаллических соединений с золотом Au2 Al и AuAl2 - явление, известное под названием пурпурной чумы. Перспективы развития планаризация металлизация многокристальный модуль Многокристальные модули Необходимость дальнейшей миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), повышения её функциональной сложности, быстродействия и надежности при одновременном уменьшении стоимости, массогабаритных и мощностных показателей стимулирует развитие новых направлений конструктивно-технологического исполнения изделий микроэлектроники. Одним из таких направлений является их сборка в виде многокристальных модулей (МКМ), которые уже стали наиболее совершенной формой изготовления комплектующих изделий и основой для построения узлов и блоков современной РЭА. Основания МКМ Для изготовления МКМ большой сложности используются конструкции 4 типов модулей (L, С, D и Si), в том числе: - MKM-L - с подложкой, представляющей собой многослойную печатную плату (технология кристалл на плате); - МКМ-С - с подложкой, изготовленной на основе многослойной керамики; - MKM-D - с многослойной тонкопленочной структурой, сформированной на керамической или эмалированной металлической подложке; - MKM-Si - с многослойной тонкопленочной структурой на пластине кремния. Фирма Du Pont (США) разработала керамико-полимерный материал на основе тефлона, армированного микроволокнами AlN.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
