Характеристика основних вимог, накладених на різні методи одержання тонких діелектричних плівок (термовакуумне напилення, реактивне іонно-плазмове розпилення, термічне та анодне окислення, хімічне осадження) та визначення їхніх переваг та недоліків.
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД Методи одержання і вимоги до діелектричних плівок Зміст Вступ 1. Термовакуумне напилення 1.1 Етапи термовакуумного напилення 1.2 Суть методу 2. Реактивне іонно-плазмове розпилення 2.1 Суть методу 2.2 Методика розпилення 2.3 Переваги іонно-плазмового розпилення 3. Термічне окислення 3.1 Методика окислення 3.2 Властивості термічного окислення 4. Анодне окислення 4.1 Окис алюмінію 4.2 Окис танталу 4.3 Окис вольфраму 4.4 Окис титану 5. Хімічне осадження 5.1 Двоокис кремнію 5.2 Нітрид кремнію 6. Вимоги до діелектричних плівок Висновок Список використаної літератури Вступ Осадження плівок широко використовується при розробці елементів сучасних інтегральних схем. Для цієї мети широко використовуються не лише напівпровідникові тонкі плівки але і діелектричні тонкі плівки. Діелектричні плівки використовуються для ізоляції між різними шарами в мікросхемах, в якості масок при дифузії іонній імплантації, для дифузії із легованих плівок з метою запобігт
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
