Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
Аннотация к работе
Механізми розсіювання носіїв струму та оптимізація термоелектричних властивостей кристалів PBTE, PBSE, PBS n-типу провідності. З використанням kp-методу та двозонної моделі Кейна на основі порівнянь теоретично отриманих значень рухливості вільних носіїв з експериментальними даними отримано температурні та концентраційні межі реалізації квадратичного та неквадратичного законів дисперсії вільних носіїв зі змінною ефективною масою для кристалів PBS, PBSE та PBTE n-типу провідності. У концентраційному діапазоні 1016-1020 см-3 та в інтервалі температур 4,2-300 К встановлено межі домінування основних видів розсіювання носіїв струму.