Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
При низкой оригинальности работы "Механізми розсіювання носіїв струму та оптимізація термоелектричних властивостей кристалів PbTe, PbSe, PbS n-типу провідності", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Механізми розсіювання носіїв струму та оптимізація термоелектричних властивостей кристалів PBTE, PBSE, PBS n-типу провідності. З використанням kp-методу та двозонної моделі Кейна на основі порівнянь теоретично отриманих значень рухливості вільних носіїв з експериментальними даними отримано температурні та концентраційні межі реалізації квадратичного та неквадратичного законів дисперсії вільних носіїв зі змінною ефективною масою для кристалів PBS, PBSE та PBTE n-типу провідності. У концентраційному діапазоні 1016-1020 см-3 та в інтервалі температур 4,2-300 К встановлено межі домінування основних видів розсіювання носіїв струму.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
