Вирощування методом Бріджмена монокристалів бездомішкового та легованого кадмію телуриду і проведення двотемпературного відпалу зразків у парах компонентів. Дефектна підсистема бездомішкового і легованого кадмію телуриду при кімнатній температурі.
При низкой оригинальности работы "Механізми дефектоутворення і термодинамічний n-p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Дисертацією є рукопис. Робота виконана на кафедрі фізики і хімії твердого тіла Інституту природничих наук при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника МОН України.Відпал CDTE з домішкою хлору ([Cltot] = 2?1018см-3) при температурі Т = 1173 К зумовлює утворення двох термодинамічних n-р-переходів (рис. При низькому значенні парціального тиску пари кадмію PCD < 102 Па для Т = 1173 К кристали мають n-тип провідності (рис. Температурна залежність концентрації вільних носіїв заряду є топологічно ідентичною до залежності від парціального тиску пари кадмію. Показано, що в області низьких значень парціального тиску пари кадмію (PCD = 1-102 Па) при температурі відпалу 1173 К за електронний тип провідності кристалів відповідальні антиструктурні дефекти, які повністю компенсують акцепторні вакансії кадмію.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
