Маркировка микросхем памяти - Презентация

бесплатно 0
4.5 52
Выполнение элементов динамической памяти для персональных компьютеров в виде микросхем. Матричная структура микросхем памяти на модуле. DIP - микросхема с двумя рядами контактов по обе стороны корпуса. Специальные обозначения на корпусе модуля памяти.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:


Аннотация к работе
Маркировка микросхем ПАМЯТИЭЛЕМЕНТЫ динамической памяти для персональных компьютеров конструктивно бывают выполнены либо в виде отдельных микросхем в корпусах типа DIP (Dual In line Package), SOJ (Small Outline J-shaped) или TSOP (Thin Small Outline Package), либо в виде модулей памяти типа SIMM (Single In line Memory Module), DIMM (Dual In line Memory Module) или RIMM (Rambus DIMM).DIMM (Dual In-line Memory Module ) и SO-DIMM (Small Outline DIMM) - это формфактор, то есть стандарт формы разъема. DI MM - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки. Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay , RCD ), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency , CL ), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge , RP ). Главным таймингом считается CAS latency , который часто обозначается сокращенно CL=5 . Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.DIP - микросхема с двумя рядами контактов по обе стороны корпуса, вставляемая (или впаиваемая) этими контактами в соответствующие отверстия в печатной плате. Хотя точную информацию о способе прочтения надписи на корпусе микросхемы можно получить только у производителя модулей памяти, на практике по ней почти всегда можно определить емкость модуля памяти и время выборки.Для компьютеров на основе второго-четвертого поколения процессоров наиболее распространенными были 30-контактные SIMM-модули с байтовой организацией и контролем четности (256Kx9, 1Mx9, 4Mx9, 16Mx9, емкостью 256 Кбайт, 1 Мбайт, 4 Мбайта и 16 Мбайт соответственно).

Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?