Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
В последнее время p-i-n-диод стал основным полупроводниковым элементом высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Это связано с рядом преимуществ p-i-n-диодов по сравнению с применяемыми ранее варакторными диодами. Резкое изменение импеданса полупроводниковой структуры p-i-n-диода и, следовательно, импеданса модулятора происходит вблизи точки нулевого смещения. В обратносмещенном состоянии емкость базы диода на единицу площади относительно мала и не зависит от напряжения смещения. Колебания мощности СВЧ-сигнала и температуры влияют на характеристики таких модуляторов в большей степени, чем модуляторов на p-i-n-диодах.При моделировании процессов протекания тока в p-i-n-диодах, как правило, используют следующие допущения: ступенчатость распределения примесей на границах p-i и p-n-переходов; независимость подвижности и времени жизни носителей заряда от их концентрации; одномерность геометрии диодов. P-i-n-диоды, предназначающиеся для высокоскоростной модуляции СВЧ-мощности, обычно имеют тонкую базу: w<Li, где Li - диффузионная длина носителей заряда в i-области. В зависимости от соотношения между рекомбинационными токами в базе р-i-n - диода и в контактных областях на ВАХ р-i-n-диода можно выделить три типичных участка.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
