Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
При низкой оригинальности работы "Компактное моделирование кремниевого вертикального МОП-транзистора с двойной диффузией на Verilog-A в САПР Symica", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
При моделировании использовалась, ранее разработанная, улучшенная компактная модель МОП-транзистора, обеспечивающая корректный учет дифференциальной проводимости в режиме насыщения. Учтено насыщение скорости электронов, деградация подвижности под затвором и эффект саморазогрева. В основу аналитической части модели положена улучшенная модель МОП-транзистора [3-5], обеспечивающая корректный учет дифференциальной проводимости в режиме насыщения с монотонным ее убыванием от максимального значения в линейном режиме до положительного или отрицательного значения в режиме насыщения. Учтен эффект насыщения скорости электронов, деградация подвижности под затвором, уменьшение подвижности и скорости насыщения электронов и порогового напряжения с ростом температуры. При моделировании учитывалось сопротивления вертикальной высокоомной части стока, добавленное в эквивалентную схему, и эффекта саморазогрева.
Список литературы
1. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов [Текст] / А. Блихер - Л.: «Энергоатомиздат». 1986. - 248 с.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 1. [Текст] / С. Зи - М.: «Мир», 1984. - 456 с.
3. Turin V.O., Intrinsic compact MOSFET model with correct account of positive differential conductance after saturation. [Text] / Turin V.O., Sedov A.V., Zebrev G.I [et al.]. // Proc. SPIE. - 2009. -7521H. - P. 1-9.
4. Turin V.O. The correct account of nonzero differential conductance in the saturation regime in the MOSFET compact model [Text] / Turin V.O., Zebrev G.I., Makarov S.V. [et al.]. // International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields. - 2014. -27. - P. 863-874.
5. Турин В.О. Корректный учет ненулевой дифференциальной проводимости в режиме насыщения в компактной модели полевого нанотранзистора [Текст] / В.О. Турин, Г.И. Зебрев, Б.Инигез [и др.]. // Наноинженерия. - 2012. - 8. C. 41-48.
6. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники [Текст] / Г.И. Зебрев - М.: МИФИ. 2008. - 240 с.
Размещено на .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
