Х-променева дифракція в кристалах та багатошарових нанорозмірних системах, що містять дислокаційні петлі - Автореферат

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук Х-ПРОМЕНЕВА ДИФРАКЦІЯ В КРИСТАЛАХ ТА БАГАТОШАРОВИХ НАНОРОЗМІРНИХ СИСТЕМАХ, ЩО МІСТЯТЬ ДИСЛОКАЦІЙНІ ПЕТЛІРобота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича. Науковий керівник:доктор фізико-математичних наук, професор Фодчук Ігор Михайлович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри фізики твердого тіла Київ, заступник директора доктор фізико-математичних наук, професор Венгренович Роман Дмитрович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри загальної фізики Захист відбудеться “28 “жовтня 2005р. о 1700 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул.Дисертація присвячена дослідженню механізмів і закономірностей формування топографічних зображень дефектів (дислокацій, дислокаційних петель та барєрів) у кремнії в умовах аномального проходження Х-променів та аналізу впливу структурних змін на границях розділу в багатошарових нанорозмірних системах на процеси динамічного розсіяння Х-променів. До найбільш розповсюджених методів дослідження структурної досконалості кристалів можна віднести Х-променеві топографічні та дифрактометричні методи, що являються неруйнівними, володіють високою чутливістю та інформативністю. Серед традиційних топографічних методів одним з найінформативніших є метод аномального проходження Х-променів, що володіє високою чутливістю до різного роду дефектів. Отже, моделювання дифракційних Х-променевих зображень дислокаційних петель, дислокаційних барєрів та їх комплексів в умовах аномального проходження Х-променів дозволить більш повно встановити механізми та закономірності динамічного розсіяння Х-променів на локальних спотвореннях в кристалі, створить передумови для появи нових високоефективних методів їх структурної діагностики. У межах даної тематики автором за допомогою чисельних методів розвязку рівнянь Такагі проведено моделювання борманівських Х-променевих топографічних зображень дефектів (дислокацій, дислокаційних петель та барєрів) у кремнії та досліджено структурні зміни, що виникають на границях розділу в багатошарових нанорозмірних системах.У першому розділі, що є оглядом літературних джерел за темою дисертаційної роботи, викладено основи динамічної теорії дифракції Х-променів у кристалах та багатошарових нанорозмірних системах. Приводяться основні співвідношення динамічної теорії дифракції Х-променів для випадку ідеального кристалу та кристалу, що містить різного роду дефекти. При аналізі теоретичних та експериментальних робіт методами Х-променевої дифракції відзначається, що проблема дослідження механізмів динамічного розсіяння Х-променів на окремих дефектах (дислокаційних петлях та барєрах) у кремнії є актуальною. У другому розділі дисертації розглянуто різні моделі дислокаційних петель, побудовано функції локальних розорієнтацій дислокацій з урахуванням анізотропії кристалу, просторового розміщення ДП та релаксаційних процесів на поверхні кристалу. На основі чисельного розвязку рівнянь Такагі проведено моделювання дифракційних зображень ДП та дислокацій в умовах аномального проходження Х-променів, співставлено відомі експериментальні дифракційні зображення ДП з розрахованими.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ ДИСЕРТАЦІЇ