Устройство структуры металл-диэлектрик–полупроводник. Типы полупроводниковой подложки. Экспериментальное измерение вольт-фарадных характеристик и характеристика многослойных структур. Методология электрофизических измерений, описание их погрешности.
При низкой оригинальности работы "Исследование вольт-фарадных характеристик многослойных структур на кремниевой подложке", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
В Лаборатории Электрофизических Измерений Научно-образовательного комплекса НГУ проводятся измерения слаботочных и сильноточных микро- и наноструктур, характеризация полупроводниковых приборов и тестовых элементов. Разработка методологии электрофизических измерений. Эти исследования актуальны во многих областях, в том числе в изготовлении активноматричных и сенсорных панелей и силовой электроники. Рис. 1. Лаборатория. Одним из наиболее распространенных методов изучения свойств структур металл - диэлектрик - полупроводник является метод, основанный на анализе зависимости емкости МДП-структуры CМДП от напряжения на затворе VG, так называемый метод вольт-фарадных характеристик (ВФХ) или C-V метод. 1. Объект исследования Классическая МДП - структура. Структуры металл - диэлектрик - полупроводник, или сокращенно МДП-структуры, широким интересом к изучению их физических свойств обязаны появлению планарной технологии и развитию нового класса полупроводниковых приборов, работающих на основе эффекта поля, таких как п
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
