Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
При низкой оригинальности работы "Исследование влияния формы контактных площадок на параметры возникающих колебаний тока в полуизолирующем GaAs", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
1. Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах 2. Экспериментальное исследование влияние формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs 2.1 Параметры используемых материалов и технология изготовления экспериментальных образцов 2.2 Схема экспериментальной установки для проведения исследования 3. Анализ результатов экспериментального исследования влияния формы контактных площадок в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs Заключение Список используемой литературы Приложение колебание неустойчивость тока полупроводниковая структура Введение Идея использования динамической неоднородности в полупроводниках в качестве носителя информации привела к формированию функциональной электроники [1]. Функциональная электроника является одним из современных и перспективных направлений микроэлектроники. Она основана на использовании физических принципов интеграции и динамических н
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
