Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
При низкой оригинальности работы "Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Для достижения поставленной цели возникла необходимость решения следующих задач: - исследовать зависимости накопления положительного заряда в МДП-структурах при инжекционной модификации при различных температурах с применением метода двухуровневой токовой нагрузки; разработать модель изменения зарядового состояния МДП-структур при инжекционной модификации, учитывающую генерацию положительного заряда; Впервые получены с использованием метода двухуровневой токовой нагрузки зависимости изменения зарядового состояния многослойных диэлектрических слоев МДП-структур Si-SIO2-ФСС-Al, в условиях сильнополевой туннельной инжекции в диапазоне температур до 100 °С. Во второй главе, в связи с поставленной задачей исследовать температурные зависимости накопления положительного заряда при инжекционной модификации многослойных диэлектрических слоев Si-SIO2-ФСС-Al, было предложено использовать новый метод исследования процессов генерации и релаксации положительного заряда в подзатворном диэлектрике МДП-структур в процессе и после воздействия сильных электрических полей, основанный на применении двухуровневой токовой нагрузки, прикладываемой к образцу, и одновременном измерении напряжения на нем, позволяющий уменьшить погрешности определения плотности положительного заряда в диэлектрике в области сильных электрических полей при высоких плотностях электрического тока, для исследования генерации положительного заряда в МДП-структурах при инжекционной модификации. Для определения вклада каждого из этих процессов в температурную зависимость изменения напряжения на МДП-структурах Si-SIO2-ФСС-Al при постоянной плотности тока инжекции исследовались зависимости накопления положительного заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния при температурах 20?100 °С и проводилось их сопоставление с изменением напряжения на МДП-структурах Si-SIO2-ФСС-Al.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
