Исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов - Методичка

Каждый отчет должен содержать: · формулировку цели исследования; · типовые параметры исследуемых электронно-дырочных переходов; · графики вольт амперных характеристик исследуемых электронно-дырочных переходов при комнатной и повышенной температурах;Как зависит положение уровня Ферми примесных полупроводников от концентрации примеси и температуры? Как связаны концентрации основных и неосновных носителей заряда в полупроводнике n-типа? Как зависит концентрация основных и неосновных носителей заряда от степени легирования и температуры? Нарисуйте распределение объемных и подвижных зарядов, напряженности электрического поля и потенциала в области несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии. Нарисуйте энергетическую диаграмму несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.

Электронные приборы: Учебник для вузов / В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.

Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1980. 383 с.

Пасынков В.В., Чиркин А.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 5-е изд., исправл. СПБ.: изд-во «Лань», 2001. 480 с.

Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С. Электронные приборы: Учебник для вузов.Минск: Высшая школа, 1999. 415 с.

Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1991. 621 с.

Елфимов В.И., Устыленко Н.С. Основы теории p-n перехода: Учеб. пособие. Екатеринбург: ООО «Изд-во УМЦ УПИ», 2000. 55 с.

Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. 2-е изд., испр. и доп. М.: Сов. радио, 1969. 542 с.

Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учеб. пособие для втузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1977. 288 с.

Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов. М.: МГУ, 1986. 256 с.

Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Под. ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1: Пер. с англ. 2-е изд. перераб. и доп. М.: Мир,1984. 456 с.

Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы: Учеб. пособие для вузов/ Под ред. В.А. Терехова. М.: Высш. шк., 1990. 206 с.

Жеребцов И.П. Основы электроники: Учеб. пособие для вузов. 5-е изд., перераб. и доп. Л.: Энергоатомиздат,1989. 352 с.

Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы. М.: Радио и связь, 1989. 352 с.

Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник / Под ред. Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 744 с.

Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник / Под ред. А.В. Голомедова, 2-е изд., стер. М.: Радио и связь: изд. фирма "КУБК-а", 1994. 527 с.

Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/ Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1976. 744 с.

Транзисторы и полупроводниковые диоды: Справочник Под общ. ред. И.Ф. Николаевского. М.: Связьиздат, 1963. 646 с.

Пример оформления титульного листа отчета по лабораторной работе

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Государственное образовательное учреждение

ВПО «Уральский государственный технический университет - УПИ»

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

Оценка работы __________

Преподаватель

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

Отчет по лабораторной работе № 1 по дисциплине «Физические основы электроники»

Подпись Дата Ф.И.О.

Преподаватель ________________ _________ Ф.И.О. преподавателя

Студент ____________________ _________ Ф.И.О. студента

Группа Р-13041

Екатеринбург 2003

Параметры германиевых выпрямительных полупроводниковых диодов

Параметры Д7Ж Д302 Д305 ГД107А ГД113А ГД507А Среднее прямое напряжение Uпр, В 0,5 0,25 0,3 1,0 1,0 0,5

Импульсное прямое напряжение, В 4,0

Средний обратный ток, МКА , при Uобр=Uобр макс 100 800 2500 20 250 50

Максимально допустимое обратное напряжение, В 400 200 50 15 115 20

Средний прямой ток Іпр макс, МА 300 1000 10000 20 15 16

Импульсный прямой ток, МА 1000 4000 20000 48 200

Рабочая частота, КГЦ 2,4 5,0 5,0

Параметры кремниевых выпрямительных полупроводниковых диодов

Параметры Д226А Д242Б КД102Б КД103А КД105Б КД106А Среднее прямое напряжение Uпр, В 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0

Импульсное прямое напряжение, В 2,5

Средний обратный ток, МКА, при Uобр=Uобр макс 50 3 0,1 1,0 100 10

Максимально допустимое обратное напряжение, В 300 100 300 50 400 100

Средний прямой ток Іпр макс, МА 300 5000 100 100 300 300

Импульсный прямой ток, МА 2500 15000 2000 2000 15000 3000

Рабочая частота, КГЦ 1,0 1,2 20 1,0 30

Параметры стабилитронов с полевым пробоем

Параметры КС133Г КС147А КС156А 2С439А КС456А Напряжение стабилизации номинальное при (ІСТ,МА),В 3,3 (5) 4,7 (10) 5,6 (10) 3,9 (51) 5,6 (30)

Разброс напряжения стабилизации 3,0?3,6 В 10% 10% 10% 10%

Максимальный ток стабилизации, МА 37,5 58 55 176 139

Минимальный ток стабилизации, МА 1 3 3 3 3

Прямое напряжение при ІПР=50МА (не более), В 1 1 1

Постоянный обратный ток при UОБР=0,7UCTHOM, МА 0,3 1 1

Постоянный прямой ток, МА 50

Дифференциальное сопротивление (ІСТ,МА) , Ом 150 (5) 56 (10) 46 (10) 12 (51) 10 (30)

Температурный коэффициент напряжения стабилизации, %/град -0,015 -0,09?0,01 0,05 -0,1 0,05

Рассеиваемая мощность, МВТ 125 300 300 1000 1000

Параметры стабилитронов с лавинным пробоем

Параметры Д814А Д814В Д814Д 2С168А 2С175Ж КС191Ж Напряжение стабилизации номинальное (ІСТ,МА), В 8,0 (5) 10,0 (5) 13,0 (5) 6,8 (10) 7,5 (4) 9,1 (4)

Разброс напряжения стабилизации 7,0?8,5В 9,0?10,5В 11,5?14,0В 10% 7,1?7,9В 8,6?9,6В

Максимальный ток стабилизации, МА 40 32 24 45 17 14

Минимальный ток стабилизации, МА 3 3 3 3 0,5 0,5

Прямое напряжение при ІПР=50МА, В 1 1 1 1 2 2

Постоянный обратный ток(UОБР, В) не более, МКА 0,1 (1) 0,1 (1) 0,1 (1) 1000 (4,5) 20 (5) 20 (6)

Постоянный прямой ток, МА 50 50

Дифференциальное сопротивление (ІСТ,МА) ,Ом 6 (5) 12 (5) 18 (5) 28 (10) 200 (0,5) 200 (0,5)

Температурный коэффициент напряжения стабилизации, %/град 0,07 0,09 0,095 0,06 0,07 0,09

Рассеиваемая мощность, МВТ 340 340 340 300 125 125

Размещено на .ru