Сущность и недостатки метода ионной имплантации. Исследование постимплантационных радиационных нарушений, образуемых при введении ионов иттербия (Yb ) в кремний. Особенности распределения ионно-имплантированного Yb в условиях термического отжига.
При низкой оригинальности работы "Исследование дефектообразования в ионно-имплантированных иттербием слоях кремния методом оптического ультрафиолетового отражения", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
В планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов, больших и сверхбольших интегральных схем использование метода ионной имплантации является основным, который сочетает загонку примеси в матрицу в виде высоко точно управляемых доз ускоренных ионов, а также последующую их диффузионную разгонку. Основным недостатком данного метода является образование структурных (в том числе, радиационных) постимплантационных дефектов связанных как со значениями энергий, плотностью токов ионов, так и с размерами ускоряемых ионов, их сильным взаимодействием с поверхностью полупроводника. Ниже приводятся результаты исследования дефектообразования - постимплантационных радиационных нарушений образуемых при введении ионов иттербия (Yb ) в кремний (Si), а также профиля распределения и перераспределения ионно-имплантированного Yb в условиях термического отжига (ТО). При имплантации кремния амплитуды пиков отражения уменьшаются с ростом дозы ионов, причем наиболее чувствительным является пик отражения при ?=0,275 мкм. Полагая изменение отражения пропорциональным степени разупорядоченности, можно оценивать дефектность имплантированных структур по формуле: D=[(Rc-Rs)/(Rc-Ra)]·100%, дефектообразование иттербий кремний имплантация где Rc, Rs, Ra - величины коэффициента отражения при ?=0,275 мкм кристаллического, аморфного и исследуемого образцов Si, соответственно.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
