Особенности разработки информационной технологии мониторинга температурного поля в процессе выращивания монокристаллов полупроводников. Знакомство с основными методами получения монокристаллов. Способы настройки подсистемы виртуального мониторинга.
При низкой оригинальности работы "Информационная технология мониторинга температурных полей в процессе выращивания монокристаллов методом Чохральского", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
При отсутствии принципиально новых методов получения монокристаллов технологический процесс может быть усовершенствован как за счет применения модернизированного оборудования, так и за счет совершенствования автоматизированных систем управления, а именно - включения в состав таких систем подсистем мониторинга температурных полей расплава и слитка, анализа текущего состояния процесса выращивания и поддержки принятия оперативных решений. нейросетевая модель, вычисляющая температуру в расплаве (М4); Вторичные данные, полученные в результате расчетов: температура фонового нагревателя, ОС; уровень расплава в тигле, %; массив значений температуры на поверхности герметизатора, ОС; массив значений температуры на поверхности тигля, ОС; текущий диаметр слитка, см; текущая длина слитка, см; теплопроводность GAAS в зоне ФК, Вт/СМК; степень затвердевания дискретных областей в зоне фронта кристаллизации (ячеек клеточного автомата); температура в заданных точках расплава, ОС; температура в заданных точках кристалла, ОС; эффективный коэффициент теплоотдачи с поверхности слитка; номер стадии процесса выращивания. Данные для базы знаний: массивы весовых коэффициентов нейронной сети, вычисляющей температуру в расплаве; массивы весовых коэффициентов нейронной сети, вычисляющей температуру в слитке; таблица правил переключения структуры нейронной сети, вычисляющей температуру в расплаве; таблица правил переключения структуры нейронной сети, вычисляющей температуру в слитке; таблица правил для определения нарушения оптимальных условий выращивания. С физических датчиков и преобразователей, а также с пульта управления поступают значения исходных данных и измеренных значений параметров процесса, таких как скорость вращения тигля, скорость вращения затравки, скорость подъема затравки, масса загрузки, масса выращенной части слитка, температура расплава в контрольной точке, температура основного нагревателя, мощность, потребляемая фоновым нагревателем.Разработана информационная технология мониторинга температурного поля в процессе выращивания монокристаллов арсенида галлия, включающая комплекс математических моделей и методов, систему взаимосвязанных информационных процессов и комплекс технических и программных средств.
Вывод
Разработана информационная технология мониторинга температурного поля в процессе выращивания монокристаллов арсенида галлия, включающая комплекс математических моделей и методов, систему взаимосвязанных информационных процессов и комплекс технических и программных средств.
Анализ экспериментальных данных исследования плотности дислокаций в слитках, выращенных на ростовой установке «Арсенид 1М», снабженной системой мониторинга температурных полей, показывает, что технология мониторинга и коррекции температурного режима эффективна как метод уменьшения остаточных напряжений и, как следствие, уменьшения средней плотности дислокаций в слитках.
Список литературы
1. Оксанич А. П. Виртуальный датчик для мониторинга температуры фонового нагревателя в тепловом узле установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия / А. П. Оксанич, И. В. Шевченко, Ю. А. Краснопольская // Автоматизированные системы управления и приборы автоматики. - 2011. - Вып. 156. - С. 16-26.
2. Шевченко И. В. Моделирование процесса выращивания полупроводниковых материалов на основе нейронной сети и нечеткого клеточного автомата / И. В. Шевченко, Ю. А. Краснопольская, Е. А. Глушков, С. Л. Шкатуло // Новые технологии. Научный вестник КУЭИТУ. - 2010. - № 1(27). - С. 169-177.
3. Оксанич А. П. Метод и нейросетевая модель расчета температурного поля расплава в процессе выращивания методом Чохральского / А. П. Оксанич, И. В. Шевченко, Ю. А. Краснопольская // Вестник КРНУ имени Михаила Остроградского. Информационные системы и технологии. Математическое моделирование. - 2010. - № 1(72). - Ч. 1. - С. 54-60.
4. Краснопольская Ю. А. Нейросетевая модель расчета температурного поля слитка в процессе выращивания монокристаллов методом Чохральского / Ю. А. Краснопольская, И. В. Шевченко, Е. А. Глушков, М. В. Репин // Новые технологии. Научный вестник КУЭИТУ. - 2009. - № 2(24). - С. 3-9.
Размещено на .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
