Умови мінімізації потужності, що розсіюється на транзисторі. Характеристика впливу ряду причин, що ускладнюють роботу ГЗЗ у ключовому режимі на високих робочих частотах. Схеми ГЗЗ у ключовому режимі з активним навантаженням і формуючим контуром.
Остання вимога - мінімізація потужності розсіювання на транзисторах головним чином відноситься до біополярних транзисторів (БТ), однак і для полярних транзисторі (ПТ) воно не може бути зайвим. Проблема мінімізації потужності, що розсіюється, на ЕП у ГЗЗ зводиться, по-перше, до максимального наближення форми імпульсів колекторного (стокового) струму і напруги на колекторі (стоці) до меандру і, по-друге, до створення таких умов для транзистора, при яких він знаходиться або в стані відсічення, або в стані насичення. а) б) Якщо в ланцюг бази подати великий струм збудження ІБ, то при порівняно великому RH транзистор буде знаходитися практично тільки в одному з двох станів: відсічення або насичення. Потужність, що розсіюється на транзисторі, дорівнює потужності втрат на опорі Звідси випливає, що, хоча , як правило, не вище, ніж ККД ГЗЗ з резонансним навантаженням (дійсно, при = 0,9 = 0,72), потужність, що розсіюється на транзисторі у ключовому режимі, істотно нижче, оскільки тут сумарна потужність гармонік другої і вище розсіюється на баластовому опорі.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
