Функциональные аспекты транзисторов. Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе - Курсовая работа

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственные образовательные учреждения высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого институт НЕПРЕРЫВНОГО ПЕДАГОГИЧЕСКОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФАКУЛЬТЕТ ПЕДАГОГИЧЕСКОГО ОБРАЗОВАНИЯ и ТЕХНОЛОГИЙС помощью постоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. Затрачивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т. е. управлять энергией мощного постоянного источника За счет чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике-теле-, видео-, аудио-, радиоаппаратуре и, конечно же, в компьютерах. Кроме того транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах.Транзистор (англ. transistor) - электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Управление током в выходной цепи осуществляется за счет изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика , память , процессоры , компьютеры , цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми .Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году (в Канаде , 22 октября 1925 года ) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда . В 1934 году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор . Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов.Помимо основного полупроводникового материала , применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). § Арсенид-галлиевые Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок . § Транзистор же используется для ограничения силы тока, поступающего в нагрузку, и включается в разрыв, между источником питания и нагрузкой.Полевой транзистор с управляющим p-n переходом - это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделен в электрическом отношении) от канала p-n переходом , смещенным в обратном направлении. Такой транзистор имеет два невыпрямляющих контакта к области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда, и один или два управляющих электронно-дырочных перехода, смещенных в обратном направлении При изменении обратного напряжения на p-n переходе изменяется его толщина и, следовательно, толщина области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда. В-третьих, полевые транзисторы могут быть сделаны как с n-каналом, так и с р-каналом, что позволяет удачно сочетать эти два типа полевых транзисторов в схемах. В-третьих, полевые транзисторы могут обладать низким уровнемшума (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора может быть отделен от поверхности полупроводникового кристалла. Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика .Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток при постоянном напряжении сток-исток называется стокозатворной характеристикой полевого транзистора. Стоковая характеристика полевого транзистора для схемы включения транзистора с общим истоком - это зависимость тока стока от напряжения сток-исток при постоянном напряжении затвор-исток Із/Uз НА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки. Uзи/Ic(U0) В/МА(В) напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Іс). почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная емкость (т.к.

Содержание

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ О ТРАНЗИСТОРАХ

1.1 Транзистор, его функциональные особенности

1.2 История возникновения транзисторов

1.3 Классификация транзисторов и их применение

ГЛАВА 2. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ И БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

2.1 Полевые транзисторы, расчет и построение нагрузочной прямой

2.2 Биполярные транзисторы, расчет усилительного каскада

ГЛАВА 3. ПОДБОР РАБОЧЕЙ СХЕМЫ

3.1 Общие сведения об электронных ключах

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ