Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
Фотопроводимость полупроводниковФотопроводимость полупроводников - увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения - может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (hv > DE), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать и при hv DED, а для полупроводников с акцепторной примесью - hv ? DEA. В результате возникает примесная фотопроводимость, являющаяся чисто электронной для полупроводников n-типа и чисто дырочной для полупроводников р-типа. Эти переходы являются основой работы многих полупроводниковых приборов. p-n-переход нельзя осуществить просто механическим соединением двух полупроводников.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
