Дослідження властивостей структур на основі пористого кремнію та механізмів їх модифікації під дією поверхневих обробок. Активація фотолюмінісцентних характеристик на імплантованих зразках. Сегрегація бору на границі поділу кремнієвого кристаліту.
При низкой оригинальности работы "Фотолюмінісцентні властивості структур на основі пористого кремнію модифікованого поверхневими обробками", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Національна академія наук України Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукРобота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України Клюй Микола Іванович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник Офіційні опоненти: Доктор фізико-математичних наук, професор Данильченко Борис Олександрович, Інститут фізики НАН України, завідувач відділу. Захист відбудеться ""18"" травня 2001 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: м.Київ, 03028, проспект Науки 45.Відкриття на початку девяностих років видимої фотолюмінесценції (ФЛ) пористого кремнію (ПК), отриманого завдяки простій процедурі анодного травлення, викликало значний інтерес у звязку з появою можливості створення оптоелектроних і мікроелектронних приладів на основі єдиної елементної бази. На момент постановки даної роботи результати по систематичному дослідженню впливу імплантації різного типу йонів в пластини кремнію до процесу анодизації на ФЛ властивості ПК були практично відсутні. Крім того, вивчення процесів кластеризації вуглецю в порах і на поверхні та його вплив на ФЛ властивості ПК є проблемою, яка потребує ретельного дослідження та побудови нових моделей випромінювальної рекомбінації. Основна мета роботи полягала у зясуванні фізичних механізмів впливу поверхневих обробок на фотолюмінесцентні властивості структур на основі пористого кремнію, які в подальшому можна було б використати для створення стабільних світловипромінюючих структур. Для досягнення поставленої мети застосовувались такі методи дослідження: розділена в часі фотолюмінесценція та метод вимірювання кінетики затухання фотолюмінесценції - для дослідження механізмів випромінювальної рекомбінації в твердотільних структурах на основі пористого кремнію, лазерна та спектральна еліпсометрія - для вивчення оптичних властивостей АПП та SIC плівок.Пористий кремній був отриманий за стандартною технологією електрохімічного травлення пластини кремнію р-типу КДБ 10 (100) в електроліті на основі 48% HF:C2H5OH при співвідношенні компонент 1:1. Показано, що імплантація легуючих домішок (бору і/або азоту) у кремній перед формуванням пористого шару призводить до модифікації випромінювальних властивостей ПК, отриманого на таких пластинах. Зокрема, вивчались структури з алмазоподібними вуглецевими плівками (АПП), та плівками SIC. Слід зазначити, що спостерігається падіння в 3 рази інтенсивності інтегральної ФЛ в низькоенергетичній області на структурах ПК-SIC плівка, порівняно з вихідними зразками ПК. Термічні відпали в атмосфері аргону (Т= 1100 К, 30 с) структур ПК-SIC призводять до високоенергетичного зсуву довгохвильової ФЛ в область 600 - 650 нм для структур першого типу і, в той же час, до виникнення світіння в цій області для зразків другого типу.
План
2. Основний зміст роботи
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
