Процесс возникновения фотогальванического эффекта (ФГЭ). Исследование линейного ФГЭ при межзонных центральных переходах в полупроводнике. Показано, что основным механизмом, приводящим к ФГЭ, является электростатическое взаимодействие электрона и дырки.
При низкой оригинальности работы "Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии при учете электрон-дырочного взаимодействия", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛАХ БЕЗ ЦЕНТРА ИНВЕРСИИ ПРИ УЧЕТЕ ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯВ работе рассмотрен вопрос о возникновении фотогальванического эффекта (ФГЭ) при примесь-зонном возбуждении электронов. Рассмотрены явления переноса заряда в электрическом поле и решена задача переноса электрического заряда на основании квантового кинетического уравнения (ККУ) по нечетному интегралу столкновений. Однако существует еще одна возможность увеличения ФГЭ - учет взаимодействия между электроном и дыркой. Из теории кристаллографии следует, что тензор нечетного ранга не равен нулю в кристалле без центра инверсии. Во втором порядке гамильтониан взаимодействия электронов с фононами имеет вид [3]Установлена возможность существования стационарного фототока в однородной среде без центра инверсии под действием электромагнитного поля в отсутствие дополнительных стационарных полей.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
