Дослідження діелектричних та напівпровідникових властивостей монокристалів молібдату свинцю. Вивчення особливостей переносу зарядів у сталому та низькочастотному електричному полі. Основні закономірності фотодіелектричного ефекту у молібдаті свинцю.
Дніпропетровський національний університет Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукНауковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Кудзін Аркадій Юрійович, професор кафедри “Фізики твердого тіла”, Дніпропетровський національний університет м. Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Черненко Іван Михайлович, професор кафедри “Радіоелектроніки”, Дніпропетровський національний університет м. Дніпропетровськ доктор фізико-математичних наук, професор Грабар Олександр Олексійович, професор кафедри “Напівпровідників”, Ужгородський національний університет м. Захист дисертації відбудеться “23 ”вересня 2005 р. о 14 00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті, 49625 м.Потреба у розвязуванні різноманітних технічних задач приводить до необхідності розробки нових принципів функціонування приладів і нових матеріалів, що забезпечують оптимальний режим їхньої роботи. Цікавою і порівняно маловивченою групою кристалів активних діелектриків є кристали зі структурою шеєліта (CAWO4). Наприклад, в лазерах, що працюють на принципі раманівського розсіювання світла і в люмінесцентних болометрах, функціонування яких засновано на комбінації люмінесцентних і акустооптичних властивостей кристалів молібдату свинцю. Кристали використовуються також в тонких фізичних експериментах для вивчення інтерференції акустичних хвиль гіперзвукового діапазону. Проблемі звязку фізичних властивостей кристалів вольфрамату і молібдату свинцю з їхньою реальною структурою приділяється багато уваги, однак велика кількість питань потребує подальшого дослідження.У досить великій кількості публікацій показано, що такі оптичні і електричні властивості кристалів, як спектри поглинання, спектри люмінесценції, фотопровідність, електропровідність при високій температурі, у великому ступені визначаються власними дефектами кристалічної решітки. У ряді робіт показано, що кристали PBMOO4 в області високих температур (>900K) мають іонну провідність, а при низьких - електронну (діркову). Дослідження закономірностей провідності і дифузії в кристалах PBMOO4 при високих температурах і в різних складах атмосфери навколишнього середовища вказують на високу концентрацію власних дефектів кристалічної решітки. Особливий інтерес, на нашу думку, викликає вивчення впливу зовнішніх факторів (температура, освітлення, електричне поле) і особливостей реальної структури кристалів на властивості, що визначаються електронною підсистемою. Основна частина дослідів проведена на кристалах, склад яких був близьким до стехіометричного.Вперше в кристалах складних окислів, до яких належить PBMOO4, виявлене збільшення діелектричної проникності, що вимірюються на низькій частоті при освітленні (фотодіелектричний ефект - ФДЕ). Встановлено основні закономірності ФДЕ: залежність від температури, частоти вимірювального поля, інтенсивності освітлення, довжини хвилі світла. На підставі дослідження залежності електропровідності кристалів молібдату свинцю в слабкому змінному полі і сильному постійному полі вперше показано, що в області температур нижче 600K мають місце електронний (дірковий) стрибковий механізм провідності зі стрибками за кластерами кінцевого розміру. Вперше в монокристалах молібдату свинцю спостережено вплив світла з довжиною хвилі, близькою до краю власного поглинання, на діелектричну проникність (ФДЕ). На підставі дослідження залежності ФДЕ і фотопровідності від температури, частоти вимірювального поля, довжини хвилі і інтенсивності світла показано: (1) ФДЕ повязаний з процесами, які відбуваються в обємі кристала, (2) ФДЕ не є прямим слідством фотопровідності.
План
2. Основний зміст роботи
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
