Формування підсистеми дефектів структури і електричні властивості плівок сполук IV-VI - Автореферат

Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України Формування підсистеми дефектів структури і електричні властивості плівок сполук IV-VIРобота виконана на кафедрі фізики і хімії твердого тіла ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника”Міністерства освіти і науки, молоді та спорту України. Науковий консультант: заслужений діяч науки і техніки України, доктор хімічних наук, професор Фреїк Дмитро Михайлович, ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника”, директор Фізико-хімічного інституту, завідувач кафедри фізики і хімії твердого тіла. Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Будзуляк Іван Михайлович, ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника”, професор кафедри матеріалознавства і новітніх технологій (м. Захист відбудеться “9” грудня 2011 р. о 10 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 20.051.06 у ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника” за адресою: 76000, м. З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці ДВНЗ “Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника” (76000, м.Високі значення оптичного коефіціента поглинання (103 - 104 см-1) та статичної діелектричної проникливості дають можливість використовувати плівки цих сполук для створення багатоелементних матриць, гетероструктур різного типу, включаючи надґратки. Відомо, що структура та електронні властивості тонких плівок на основі сполук IV-VI у значній мірі визначаються технолоґічними факторами, що призводить до необхідності вивчення впливу на них умов вирощування та експлуатації. Дефекти у напівпровідниках у більшості випадків характеризуються сильною деформацією кристалічної ґратки, малим радіусом хвильової функції локалізованого носія порядку сталої ґратки і відсутністю насичення хімічного звязку поблизу дефекту. Робота виконувалась у лабораторіях кафедри фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника в рамках проґрами Міністерства освіти і науки України ”Дефектоутворення в тонких плівках халькогенідів свинцю і олова” (проект 4.3/424) та тематичного плану НДДКР “Вплив зовнішніх факторів на електронні процеси в тонких напівпровідникових плівках халькогенідів свинцю і олова” (додаток №2 до наказу № 330 Міністра освіти України від 13.12.1996 р.), а також комплексної міжгалузевої проґрами ”Фундаментальні та прикладні дослідження, розробка та впровадження термоелекричних ресурсозберігаючих та відновлювальних джерел тепла і електричної енергії” (створена за дорученням Президента України № 1-14/259 від 25.04.1997 р.), проекту МОН України "Вплив іонної імплантації і дифузійних процесів на формування структури і властивостей приповерхневих шарів ферит-гранатових і напівпровідникових плівок" (номер державної реєстрації 01890070690), проекту МОН України “Поверхневі процесси та технологія тонкоплівкових AIVBVI структур для пристроїв ІЧ техніки” (номер державної реєстрації 0106U002200), та спільного українсько-білоруського проекту ДФФД МОН України “Структура і опоелектронні явища у наногранульваних плівках і нанокристалах телуридів свинцю і олова” (номер державної реєстрації 0107U006769). Роль автора у виконанні науково-дослідних робіт полягала у розвитку і поглибленні теоретичних основ досліджень та обґрунтуванні експериментальних результатів електрофізичних і структурних властивостей тонких плівок халькоґенідів плюмбуму та стануму, повязаних з дефектами, а також компютерного моделювання процесів вирощування і леґування структур та радіаційного і термічного дефектоутворення в них.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ