Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
При низкой оригинальности работы "Физика, технология и элементная база современной электроники. Достижения России", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%