МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Выполнил: Старосельский В.И.Применяемые в промышленности методы изоляции транзисторных структур можно разделить на три основных группы: - диодная изоляция (изоляция обратно-смещенным p-n переходом коллектор-подложка); Диодная изоляция характеризуется большими размерами областей активной транзисторной структуры и межэлементной изоляции и соответственно большими паразитными емкостями p-n переходов, что ухудшает частотные свойства интегральных транзисторов и схем. Полная диэлектрическая межэлементная изоляция ликвидирует паразитную емкость перехода коллектор - подложка и обеспечивает высокие граничные частоты транзисторных структур. Чтобы найти диффузионную длину примеси в базе Lb, воспользуемся условием что в точке равной глубине технологического перехода коллектор-база xjc, концентрация акцепторной примеси в базе Nab равно концентрации примесе в коллекторе Nc: Nab(xjc)=Nc (2) Зная концентрации в эмиттере, базе, коллекторе и подложке можно построить график распределения примеси.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
