Физические принципы функционирования электронных приборов. Дефекты реальных кристаллов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Принцип работы биполярных транзисторов. Поверхностные явления в полупроводниках.
Дефекты реальных кристаллов Принцип работы биполярных транзисторов Поверхностные явления в полупроводниках Задача 1 Задача 2 Задача 3 Литература Введение В настоящее время невозможно найти какую-либо oтрасль промышленности, в которой не использовались бы электронные приборы или электронные устройства измерительной техники, автоматики и вычислительной техники. Рассмотрим кратко наиболее важные дефекты кристаллов. Примеси. Процесс растворения состоит в том, что примесные атомы внедряются в промежутки между атомами кристалла (рис.1.1, а) или замещают часть этих атомов, размещаясь в узлах решетки (рис.1.1, б). Так как чужеродные атомы по своей физической природе и размерам отличаются от атомов основного кристалла, то их присутствие вызывает искажение решетки. Рис.1.1 Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения (а) и замещения (б) Дефекты по Френкелю и по Шоттки. При замыкании выключателей SA1 и SA2 через эмиттерный р-п переход осуществляется инжекция дырок из эмиттера в область базы. Следовательно, через эмиттерный переход пойдет ток по следующему пути: Е1, миллиамперметр РА1, эмиттер, база, миллиамперметр РА2, выключатели SA2 и SA1, - E1. Рис.2.1 К пояснению принципа работы транзистора Если выключатель SA1 разомкнуть, а выключатели SA2 и SA3 замкнуть, то в коллекторной цепи пройдет незначительный обратный ток, вызываемый направленным движением не основных носителей заряда - дырок базы и электронов коллектора.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
