Фазові рівноваги та склоутворення в квазіпотрійних системах BIIX–Ga2X3–DIVX2 (BII–Zn, Cd, Hg; DIV–Ge, Sn; X–S, Se) - Автореферат

ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТРоботу виконано на кафедрі загальної та неорганічної хімії Волинського державного університету ім. Науковий керівник: кандидат хімічних наук, доцент Парасюк Олег Васильович, Волинський державний університет, старший науковий співробітник. Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, доцент Барчій Ігор Євгенович, Ужгородський національний університет, професор кафедри неорганічної хімії кандидат хімічних наук. Захист дисертації відбудеться ?15? листопада 2006 р. о 16 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.10 у Львівському національному університеті ім. З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Львівського національного університету ім.В ролі розчинника можуть бути використані сплави квазіпотрійних систем BIIX - CIII2X3 - DIVX2 (BII - Zn, Cd, Hg; CIII - Ga, In; DIV - Ge, Sn; X - S, Se). Встановлення областей склоутворення у системах, які утворені чотирма елементами, є перспективним напрямком дослідження, оскільки дозволить розширити клас халькогенідних склоподібних напівпровідників новими представниками. Таким чином, накопичення експериментальних даних з характеру фізико-хімічної взаємодії та величин областей склоутворення в системах BIIX - Ga2X3 - DIVX2 дозволить виявити нові напівпровідникові речовини, закономірності та особливості у зміні їх властивостей. Робота є складовою частиною одного з наукових напрямків з дослідження складних напівпровідникових фаз, що проводяться на кафедрі загальної та неорганічної хімії Волинського державного університету ім. Лесі Українки, і виконана відповідно до планів держбюджетних тем “Фізико-хімічні основи матеріалознавства метастабільних фаз, ефективних і радіаційностійких оптоелектронних, нелінійних та інших напівпровідникових матеріалів на основі багатокомпонентних систем” (1998-1999, № державної реєстрації 0198U038208), особистий внесок - склоутворення у системах Zn(Cd,Hg)Se - Ga2Se3 - Ge(Sn)Se2; “Гетерогенні рівноваги складних халькогенідних систем; синтез, технологія монокристалів, стекол, композитів і їх властивості” (2000-2002, № державної реєстрації 0100U000241), особистий внесок - фазові рівноваги у квазіпотрійній системі ZNSE - Ga2Se3 - GESE2, область склоутворення та ізотермічний переріз при 670 К квазіпотрійної системи HGS - Ga2S3 - GES2; “Нові тетрарні халькогенідні речовини: синтез, фазові рівноваги, технологія монокристалів, властивості та застосування” (2003-2005, № державної реєстрації 0103U000274), особистий внесок - фазові рівноваги у квазіпотрійних системах ZNSE - Ga2Se3 - SNSE2 та HGS - Ga2S3 - GES2.У першому розділі зроблено огляд літератури про характер хімічної взаємодії та склоутворення в системах BII - X, Ga - X, DIV - X, BIIX - DIVX2, Ga2X3 - DIVX2, BIIX - Ga2X3, а також відомості про раніше досліджені системи ВІІХ - Ga2X3 - DIVX2. Солідус перерізу складається з горизонтальних ліній, що відповідають процесам: LUHG4GES6 HGGA2S4 GES2 (Е, 829 К), L HGGA6S10UHGGA2S4 GES2 (Р4, 940 К), L DUB GES2 (Р3, 953 К), а також лінії завершення вторинної кристалізації L d GES2 та лінії, що відповідає граничним d-твердим розчинам. Переріз ZNGA2Se4 - GESE2 перетинає два поля первинної кристалізації фаз, що відповідають GESE2 і а-твердим розчинам на основі ZNSE. Переріз ‘Ga6GESE11’ - ‘Zn3GESE5’ проходить через три поля первинної кристалізації фаз, що належать b-твердому розчину на основі Ga2Se3, g-твердому розчину на основі ZNGA2Se4 i а-твердому розчину на основі ZNSE. Солідус перерізу складається з ліній завершення вторинної кристалізації бінарних евтектик, які обумовлені присутністю твердих розчинів в системі та двома горизонталями нонваріантних процесів при 924 K (LUB g GESE2) i 966 K (L AUG GESE2).Вперше вивчені фазові рівноваги в квазіпотрійних системах HGS - Ga2S3 - GES2, ZNSE - Ga2Se3 - GESE2 i ZNSE - Ga2Se3 - SNSE2, для яких встановлено характер і температури протікання моно-та нонваріантних процесів, побудовані ізотермічні перерізи при 670 К, проекції поверхонь ліквідуса та просторові діаграми стану. Характерним для систем даного типу є відсутність тетрарних проміжкових фаз, що узгоджується із теоретичними передумовами пошуку нових алмазоподібних напівпровідників розроблених Горюновою. В системі HGS - GES2 підтверджено наявність сполуки Hg4GES6 і заперечено існування фази HGGE2S5. В системі ZNSE - SNSE2 уточнено лінію первинної кристалізації ZNSE та підтверджено евтектичний тип квазібінарної системи. Встановлено величини областей склоутворення в квазіпотрійних системах HGS - Ga2S3 - GES2, ZNSE - Ga2Se3 - Ge(Sn)Se2, CDSE - Ga2Se3 - SNSE2 та уточнено в системі HGSE - Ga2Se3 - SNSE2.постановка задачі дослідження. синтез склоподібних зразків, дослідження їх методами диференційно-термічного та мікроструктурного аналізів. постановка задачі дослідження. синтез склоподібних зразків, дослідження їх методами диференційно-термічного та мікроструктурного аналізів. синтез зразків, дослідження їх методами рентгенофазового та мікроструктурного аналізів.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ ДИСЕРТАЦІЇОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ ВИКЛАДЕНО У ПУБЛІКАЦІЯХ: