Фазові переходи в кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/PbTe - Автореферат

ХАРКІВСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукНауковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Федоренко Анатолій Іванович (професор кафедри фізики металів і напівпровідників Харківського державного політехнічного університету). Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут”). доктор фізико-математичних наук, професор Захист відбудеться “12 ”листопада 1999 р. о 16 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.051.03 у Харківському державному університеті (310077, м.Ці вузькозонні матеріали привертають увагу дослідників і як зручні модельні обєкти для вивчення зокрема таких фізичних явищ, як структурні фазові переходи (ФП), нестехіометрія, надпровідність. Зумовлюючи нестійкість електронної та граткової підсистем у певному температурному інтервалі, ФП істотно впливають на властивості та стабільність різних важливих з практичної точки зору характеристик. Оскільки сполуки IV-VI характеризуються значним відхиленням від стехіометрії, яке зумовлює високу концентрацію власних дефектів, ФП не можуть розглядатися без врахування дефектної підсистеми кристала у звязку з її впливом на механізм і характеристики ФП, а також можливістю реалізації ФП, ініційованих взаємодією дефектів нестехіометрії між собою. На початок цього дослідження питання, повязані з впливом дефектів нестехіометрії та інших факторів на температурні характеристики, механізм та кінетику ФП у сполуках IV-VI, взаємодією дефектів нестехіометрії між собою, що приводять до їх упорядкування і появи нових ФП, а також із специфікою прояву ФП у тонких шарах та НГ, практично не вивчалися. дослідити температурні залежності параметра елементарної комірки, коефіцієнта теплового розширення (КТР), електропровідності s, коефіцієнта Холла RH, рухливості носіїв заряду MH в інтервалі 4.2-300 К в обємних кристалах SNTE з різним ступенем відхилу від стехіометрії;У вступі обгрунтована актуальність теми, визначена мета роботи; викладені основні результати і сформульовані положення, які виносяться на захист; вказані практична цінність результатів та їх наукова новизна. Головна увага приділяється розгляду даних про СФП у SNTE, а також ФП в системі SNTE-PBTE, надпровідность у сполуках IV-VI. Розглянуто методи отримання плівок SNTE і PBTE, а також наведено огляд робіт з вивчення гальваномагнітних властивостей плівок SNTE. З аналізу літературних даних випливає, що дані про СФП у SNTE нерідко суперечні, серед них практично відсутніми є роботи, в яких би СФП досліджувався одночасно за допомогою різних методів на зразках з контрольованою стехіометрією.Вперше спостерігалася чітко виражена l-аномалія, притаманна ФП другого роду, на залежностях а(Т) для зразка із стехіометричним складом. Було встановлено, що мінімальне значення КТР в межах інтервалу гомогенності SNTE при температурах вищих за QD спостерігається для складу 50.4 ат.% Те, який відповідає максимуму на кривих плавкості в системі Sn-Te. На залежностях RH(T) і MH(T) для більшості плівок можна було виділити два інтервали: у першому (до 150-200 К) значення RH залишалося практично постійним, а MH зменшувалася; у другому - значення RH зростало, а коефіцієнт b у залежності MH(Т) зменшувався. На основі комплексного дослідженя температурних залежностей параметра елементарної комірки, КТР, електропровідності та коефіцієнта Холла в інтервалі 4.2.-300 К підтверджено існування сегнетоелектричного ФП в обємних кристалах та плівках SNTE; встановлена залежність температури ФП від концентрації дефектів нестехіометрії і показано, що величина температурної аномалії питомого опору зростає при переході від моно-до полікристалів. Виявлено, що процеси перерозподілу дефектів легше реалізуються у тонких плівках та порошкових зразках, ніж у масивних кристалах, що повязується із зростанням дифузійної рухливості у тонких шарах в порівнянні з обємними кристалами.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ