Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
При низкой оригинальности работы "Фізичні властивості парамагнітних домішкових та дефектних центрів у політипах карбіду кремнію", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Інститут фізики напівпровідників ім. Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наукРобота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук Шаніна Бела Дмитрівна Інститут фізики напівпровідників ім. Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України Глинчук Майя Давидівна Інститут матеріалознавства ім. Францевича НАН України, завідувач відділу доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України Лисенко Володимир Сергійович Інститут фізики напівпровідників ім. Лашкарьова НАН України, завідувач відділу доктор фізико-математичних наук, професор Данилов Вадим Васильович Київський національний університет імені Тараса Шевченка, професор кафедриЗначний інтерес, що проявляється у світі до напівпровідникової електроніки на основі SIC, багато в чому визначений успіхами, досягнутими в останнє десятиріччя, в освоєнні методів вирощування монокристалів SIC великих розмірів (порядку 100 мм та більше), що використовуються у якості підкладки при створенні приладів на основі SIC. Розвязання проблеми контрольованої якості монокристалів SIC тісно повязано з дослідженням природи домішкових та дефектних центрів у SIC та їх поведінки в залежності від умов росту, а також встановленням механізмів дефектоутворення у різних політипах SIC, чому і присвячена дана дисертація. SIC належить до одних з перших напівпровідникових сполук, у яких були проведені дослідження методом ЕПР мілкої донорної домішки азоту та акцепторної домішки бору, а також різних власних дефектів, що утворюються у процесі росту кристалів SIC. Одним з головних факторів, який гальмував дослідження SIC методами ЕПР, є наявність великого числа магнітно-нееквівалентних центрів, які утворюють домішки чи дефекти у гратці SIC у одному і тому ж зарядовому стані. Це дозволило отримати принципово нове уявлення про домішки та дефекти у різних політипах SIC, встановити електронну структуру та моделі домішкових, дефектних центрів у політипах SIC, а також визначити технологічні умови, що впливають на якість росту монокристалів та епітаксійних шарів (ЕШ) SIC.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
