Фізичні основи напівпровідникових приладів екстремальної електроніки - Автореферат

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ імені В.Є.Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Науковий консультант: доктор технічних наук, професор, академік НАН України Свєчніков Сергій Васильович, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, почесний директор інституту, завідувач відділу Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН УкраїниЗа даними Першої міжнародної конференції по екстремальній електроніці (NASA/JPL Conference on Electronics for Extreme Environments, Pasadena, USA, 1999) і європейських конференцій (Eurosensors, XIII-XVII, 1998-2003) структури на основі Si, GAAS і Ge є елементною базою сучасної напівпровідникової мікроелектроніки і викликають найбільший інтерес для створення приладів, здатних надійно функціонувати в умовах ВЗФ. Вищевикладене визначає актуальність проведення комплексних теоретичних і експериментальних досліджень фізичних явищ у перспективних у прикладному відношенні плівках Ge, гетероструктурах Ge-GAAS і кремнієвих p-n-переходах, результати яких складають фізичні основи нових типів напівпровідникових приладів і сенсорів екстремальної електроніки. Метою дослідження є створення фізичних основ напівпровідникових приладів екстремальної електроніки, які включають: - встановлення основних закономірностей і особливостей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто-і тензорезистивних властивостей сильно легованих і сильно компенсованих (СЛСК) гетероепітаксійних плівок Ge з урахуванням перебудови їх енергетичної структури під впливом границі розділу Ge-GAAS і внутрішніх механічних напружень в умовах впливу температури, деформації і магнітного поля, - встановлення взаємозвязку електрофізичних та теплофізичних властивостей з конструктивно-технологічними параметрами і термометричними характеристиками (ТМХ) сильно легованих p-n-структур Si з урахуванням внеску в струмоперенос складових різної природи (дифузійного, генераційно-рекомбінаційного, тунельного та стрибкової провідності) в умовах впливу температури, електричного поля і радіації. Основні результати дисертації доповідались і обговорювались на міжнародних та вітчизняних симпозіумах, конференціях і нарадах: XXI Всесоюзном совещании по физике низких температур (Харьков, Украина, 1980), VIII Всесоюзной конференции “Методы и способы тензометрии и их применение в народном хозяйстве” (Свердловск, Россия, 1983), II Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (проблемные вопросы) (Ивано-Франковск, Украина, 1984), V Всесоюзной научно-технической конференции “Состояние и перспективы развития методов измерения температуры” (Львов, Украина, 1984), VIII совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (Киев, Украина, 1984), Всесоюзной школе по физике поверхности (Черноголовка, Россия, 1986), IX Всесоюзном симпозиуме “Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников” (Новосибирск, Россия, 1988), VI Всесоюзной конференции “Электрические методы и способы измерения температуры” (Луцк, Украина, 1988), III Всесоюзной научно-технической конференции “Методы и способы измерения технических параметров в системах контроля и управления” (Пенза, Россия, 1989), III-VI Міжнародних конференціях “Фізика і технологія тонких плівок” (Івано-Франківськ, Україна, 1990, 1993, 1995, 1997), Всесоюзной конференции “Микроэлектронные датчики в машиностроении” (Ульяновск, Россия, 1990), VII Міжнародній науково-технічній конференції “Електричні методи та засоби вимірювання температури” (Львів, Україна, 1992), II Українській конференції “Матеріалознавство і фізика напівпровідникових фаз змінного составу” (Ніжин, Україна, 1993), Научно-технической конференции “Приборостроение-93 и новые информационные технологии” (Винница-Николаев, Украина, 1993), XXXV Space Congress. (Noordwijk, The Netherlands, 2000), XXXII Совещании по физике низких температур (Казань, Россия, 2000), IV Международной конференции “Научные, технические и социальные аспекты закрытия Чернобыльской АЭС” (Славутич, Украина, 2000), XI International Conf.