Дослідження особливостей процесу електронної польової емісії з пористого кремнію. Оптимізація режимів вирощування пористого кремнію з метою отримання високоефективних емісійних катодів. Розробка методики визначення основних емісійних параметрів.
При низкой оригинальности работы "Емісійні властивості кремнієвих та вуглецевих нанокомпозитних плівок", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Іншими перспективними матеріалами для наноелектроніки є вуглецеві (алмазні та алмазоподібні) плівки, які безумовно будуть відігравати суттєву роль в електронних приладах. Все це обумовлює актуальність проблеми, яка вирішується в даній дисертації, а саме встановлення основних закономірностей електронної польової емісії з кремнієвих та вуглецевих нанокомпозитних плівок, як основи для виготовлення приладів вакуумної мікро-та наноелектроніки з поліпшеними характеристиками. Реалізація поставленої мети передбачає розвязання таких наукових завдань: Дослідження особливостей процесу електронної польової емісії з пористого кремнію та оптимізація режимів вирощування пористого кремнію з метою отримання високоефективних емісійних катодів. Наукова новизна роботи полягає в отриманні та узагальненні таких результатів: Встановлено, що покриття кремнієвих емітерів алмазоподібними вуглецевими плівками або нанокомпозитними плівками SIOX(Si) та SIO2(Si) приводить до суттєвого покращення ефективності та стабільності електронної польової емісії. Запропонована фізична модель процесів переносу електронів при проходженні через нанокомпозитні плівки SIOX(Si) і SIO2(Si) та емісії у вакуум, яка включає процеси тунелювання через діелектричні шари між нанокристалами та процес тунелювання у вакуум.У другому розділі - «Методи визначення параметрів електронної польової емісії» - розглянуто процес тунелювання електронів крізь барєр із напівпровідника у вакуум в рамках теорії Фаулера-Нордгейма. Зазвичай, визначення роботи виходу електронів із емісійних катодів при електронній польовій емісії проводиться після визначення геометричних розмірів катодів і, відповідно, коефіцієнта підсилення електричного поля. Для зменшення похибки і спрощення визначення емісійних параметрів досліджуваних структур запропоновано оригінальний метод розрахунку параметрів ВАХ емісійних катодів, який включає: 1) знаходження апроксимованої ефективної площі емісії у вузьких інтервалах роботи виходу; 2) заміну складної експоненційної функції поліномом 2-го порядку в рівнянні Фаулера-Нордгейма (Ф-Н). Визначають нахили емісійних ВАХ катода до покриття плівкою та порівнюють з нахилами емісійних ВАХ катода з покриттям, вважаючи, що геометрія катода після покриття плівкою суттєво не змінюється, отримують значення роботи виходу плівки. У третьому розділі - «Електронна польова емісія з нанорозмірних структур на основі пористого кремнію» - розглянуто метод отримання шарів пористого кремнію електрохімічною анодизацією кремнію без прикладання зовнішньої напруги (внутрішнє джерело струму або гальванічна анодизація); досліджено фотолюмінесцентні (ФЛ) та емісійні властивості шарів пористого кремнію, вирощених при різних густинах струму анодизації та співвідношення компонентів електроліту.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ
Список литературы
Evtukh A.A., Litovchenko V.G., Semenenko M.O., Karpyna V.A., Lashkarev G.V., Lazorenko V.I., Khranovskyy V.D., Kopylova L.I., Okun I.Yu., Piryatinskyy Yu.P. Peculiarities of electron field emission from ZNO nanocrystals and nanostructured films // Superlattices and Microstructures. - 2007. - Vol. 42. - Р. 451-460.
А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т.40, вып. 2. - С. 180-184.
Evtukh A.A., Litovchenko V.G., and Semenenko M.O. Electrical and emission properties of nanocomposite SIOX(Si) and SIO2(Si) films // J. Vac. Sci. Technol. B 24(2) Mar/Apr. - 2006. - Р. 945-949.
Evtukh A., Litovchenko V., Semenenko M., Yilmazoglu O., Mutamba K., Hartnagel H.L., Pavlidis D. Formation of conducting nanochannels in diamond-like carbon films // Semicond.Sci.Technol. - 2006. - Vol. 21. - P. 1326-1330.
Євтух А.А., Клюй М.І., Литовченко В.Г., Семененко М.О., Неселевська Л.В., Осовський В.Д. Емісійні властивості розвиненої кремнієвої поверхні покритої алмазоподібною плівкою // Нові технології, Науковий вісник КУЕІТУ. - 2006. - №2(12). - C. 11-14.
Evtukh A.A., Litovchenko V.G., Klyui N.I., Semenenko M.O., Kaganovich E.B., Manoilov E.G. Electron field emission from porous silicon prepared at low anodisation currents // Int. J. Nanotechnology. - 2006. - Vol. 3, No. 1. - P. 282-299.
Evtukh A.A., Hartnagel H., Litovchenko V.G., Semenenko M.O., Yilmazoglu O. Enhancement of electron field emission stability by nitrogen-doped diamond-like carbon film coating // Semicond. Sci. Technol. - 2004. - Vol. 19. - P. 923-929.
Evtukh A.A., Litovchenko V.G., Semenenko M.O. Electrical and emission properties of nanocomposite SIOX and SIO2(Si) films // Technical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference, 10-14 July 2005. - Copyright and Reprint Permission, 2005. - P. 377.
Євтух А.А., Литовченко В.Г., Семененко М.О. Наноелектронна технологія виготовлення емітерів “пористий кремній/кремній» // Труды Пятой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии СИЭТ-2004». - Одесса: Нептун-Технология, 2004. - C. 254.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
