Елементи та пристрої автоматики на основі комбінованих динамічних негатронів - Автореферат

бесплатно 0
4.5 144
Дослідження імітансних характеристик комбінованих динамічних негатронів на основі польового транзистора Шоттки в діапазоні частот при різних значеннях перетворюваного імітансу. Вивчення особливостей активних фільтрів, генераторів гармонійних коливань.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:


Аннотация к работе
Таким чином, для створення частотновибіркових елементів в інтегральному виконанні необхідно використовувати такі методи і засоби побудови схем, електричні параметри яких не залежали б від геометричних розмірів. Робота виконувалася на кафедрі проектування компютерної та телекомунікаційної апаратури Вінницького національного технічного університету згідно з планом наукових досліджень Вінницького національного технічного університету і Міністерства освіти і науки України в рамках держбюджетних тем: “Дослідження фізико-технічних процесів у багатоелектродних потенційно-нестійких структурах і розробка методів та засобів моделювання енергетично-ефективних інформаційних пристроїв на основі принципів динамічної негатроніки” (номер державної реєстрації 0102U002259); “Аналіз і синтез RLC-негатронів на основі напівпровідникових структур і створення на їх основі високоефективних інформаційних пристроїв” (номер державної реєстрації 0105U002414), і відповідає пріоритетному напрямку розвитку науки та техніки в Україні "5. Розробка математичних моделей і оцінки ефективності керуючих елементів автоматики на основі УПІ, що використовують комбіновані динамічні негатрони на основі ПТШ для визначення оптимальних УПІ. Використані в дисертації методи базуються на: теорії матриць для розробки математичної моделі ПТШ; теорії комфорних відображень для дослідження імпедансних характеристик; теорії перетворювачів імітансу для дослідження робочих параметрів чотириполюсників; теорії аналізу електронних схем для визначення основних параметрів елементів і пристроїв автоматики на основі потенційно-нестійких напівпровідникових структур; теорії стійкості для визначення умов забезпечення стійкості реалізованих пристроїв за умови потенційної нестійкості використовуваних елементів; теорії планування експерименту і компютерного моделювання для експериментальної перевірки отриманих результатів. У публікаціях, написаних у співавторстві, здобувачеві належить: математичне моделювання частотних залежностей максимально-досяжного коефіцієнта підсилення [1]; проведення експериментальної перевірки методу[2]; математичне моделювання граничної частоти транзисторного негатрона [3]; синтез схем та дослідження активних індуктивностей та фільтрів [4]; синтез схеми та дослідження параметрів оптично-керованого аналогу індуктивності на ПТШ [5]; дослідження параметрів схеми фільтра [6]; перевірка адекватності математичної моделі[7]; узагальнення критеріїв ефективності, оцінка ефективності керуючих елементів на ПТШ [8]; синтез схем та дослідження параметрів взаємних і невзаємних фільтрів на ПТШ [9]; синтез схеми та дослідження схемотехнічного аналога котушки індуктивності [10]; синтез схеми та дослідження параметрів помножувача індуктивності в діапазоні частот [11]; розробка методу, блок-схеми установки та проведення вимірювань коефіцієнта нестійкості чотириполюсника [12]; синтез схеми та дослідження схемотехнічного аналога котушки індуктивності[13, 14]; синтез схеми двочастотного генератора[15, 16]; розробка блок-схем вимірювальних установок [17, 18]; синтез схеми та дослідження параметрів помножувача індуктивності в діапазоні частот [19]; розробка методу, блок-схеми установки та проведення вимірювань коефіцієнта нестійкості чотириполюсника [20,21]; математичне моделювання частотних залежностей максимально-досяжного коефіцієнта підсилення [23]; синтез схем та дослідження активних індуктивностей та фільтрів[24]; перевірка адекватності математичної моделі [25]; синтез схеми дворезонаторного активного фільтра[26]; розробка схеми оптично-керованого аналога котушки індуктивності[27]; Визначення коефіцієнту нестійкості чотириполюсника[28].При розробці інформаційних пристроїв на основі польового транзистора Шоттки, який розглядається в якості узагальненого перетворювача імітансу, необхідно визначити діапазон частот, в якому схема може мати відємний диференційний опір. За результатами досліджень встановлено, що УПІСС по входу і виходу є потенційно нестійким в діапазоні частот від 10 до 90ГГЦ; УПІСВ по входу і виходу в діапазоні частот від 10 до 40ГГЦ є потенційно нестійким, в інших діапазонах він є абсолютно стійким (по входу) і абсолютно нестійким (по виходу); УПІСЗ в діапазоні до 30ГГЦ по входу і виходу є потенційно нестійким, в діапазоні 40-80ГГЦ по входу він є абсолютно стійким, а по виходу абсолютно нестійким. УПІСВ в точці максимально відємного опору є інвертором імітансу (по входу і виходу, крім частот 80-100ГГ, де він є конвертором імітансу по виходу), УПІСС володіє як властивостями інвертора, так і конвертора імітансу (частоти 40-60ГГЦ по входу та 60-100ГГЦ по виходу - конвертор). В результаті досліджень встановлено, що для керування вхідним та вихідним опором схеми УПІСВ та УПІСС при створенні керованих інформаційних пристроїв доцільно використовувати зміну напруги на затворі; використання напруги живлення в якості керуючого сигналу схеми УПІСВ та УПІСЗ обмежене низькими частотами (до 1 ГГЦ), для схеми УПІСС-вузьким діапазоном зміни напруги (0-0,4В для вихід

План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?