Понятие гетеро- и гомоперехода между проводниками, их отличительные признаки и свойства, основные характеристики. Открывающиеся возможности при реализации гетероперехода. Сущность и техническая основа оптоэлектроники. Достоинства гетерофотодиодов.
При низкой оригинальности работы "Электронно-дырочные гетеропереходы и их отличия от гомопереходов", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ), n -n-переходы (обе области легированы донорной примесью, но в разл. степени) и р -р-переходы (обе области легированы акцепторной примесью). Благодаря p-n-переходу в кристаллах удалось осуществить инжекцию электронов и дырок, а простая комбинация двух p-n-переходов позволила реализовать монокристаллические усилители с хорошими параметрами - транзисторы. Наибольшее распространение получили структуры с одним p-n-переходом (диоды и фотоэлементы), двумя p-n-переходами (транзисторы) и тремя p-n-переходами (тиристоры). Один из выводов кандидатской диссертации гласил, что p-n-переход в гомогенном по составу полупроводнике (гомоструктура) не может обеспечить оптимальные параметры многих приборов. Если возможность управления типом проводимости полупроводника с помощью легирования различными примесями и идея инжекции неравновесных носителей заряда были теми семенами, из которых выросла полупроводниковая электроника, то гетероструктуры давали возможность решить значительно более общую проблему управления фундаментальными параметрами полупроводниковых кристаллов и приборов, такими, как ширина запрещенной зоны, эффективные массы носителей заряда и их подвижности, показатель преломления, электронный энергетический спектр и т.д.Итак, как вы уже успели убедиться, применение гетеропереходов в оптоэлектронике помогает разрешить многие проблемы. Так, в частности, найдено решение задачи создания приборов с прямозонной энергетической диаграммой, что не удавалось реализовать на гомогенных структурах. Прозрачность широкозонного эмиттера для рекомбинационного излучения базы гетерогенной структуры существенно облегчает задачу констуирования излучательных приборов.
Вывод
Итак, как вы уже успели убедиться, применение гетеропереходов в оптоэлектронике помогает разрешить многие проблемы. Так, в частности, найдено решение задачи создания приборов с прямозонной энергетической диаграммой, что не удавалось реализовать на гомогенных структурах. Прозрачность широкозонного эмиттера для рекомбинационного излучения базы гетерогенной структуры существенно облегчает задачу констуирования излучательных приборов. Также гетероструктуры способствуют все большей интеграции оптоэлектронных устройств. Реализация сверхрешеток позволит создавать элементную базу с произвольными зонными диаграммами, т.е. гетероструктуры являются перспективным направлением исследования. Технологические трудности изготовления гетеропереходов, как нам кажется, явление временное и в недалеком будущем преодолимое. Применительно к нашей специальности (физика и техника оптической связи) гетероструктуры являются хорошим подспорьем в конструировании систем волоконнооптической связи. Инжекционные лазеры, например, с их способностью генерировать пучок света, (являющийся переносчиком информации в волоконнооптических линиях связи) с наперед заданным направлением распространения - решение проблемы миниатюризации основных элементов систем волоконнооптической связи.
Конечно, существуют еще много неразрешенных проблем, но, как нам кажется, будущее оптоэлектроники неразрывно связано с гетероструктурами.
Список литературы
1. Физический энциклопедический словарь. - М.: Сов. Энциклопедия, 1983.
2. Смит Р. Полупроводники. М. Мир, 1982.
3. Алферов Ж.И. // Физика сегодня и завтра. Ред. Тучкевич В.М.Л., 1973.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
