Конструкція, основні види польових транзисторів. Залежність електропровідності напівпровідників від виду домішок. Фізичні процеси в електронно-дірковому переході. ЕДП при зворотньому вмиканні зовнішньої напруги. Вольт-амперна характеристика р-n-переходу.
В активному режимі роботи транзистора зі збільшенням прямої напруги UЕБ знижується потенційний барєр в емітерному переході, збільшується інжекція носіїв IEN і ІЕР через перехід, тому росте струм емітера. Вихідні характеристики БТ в схемі з СБ визначаються залежністю IK = f(UКБ), при IE = const. Вихідні характеристики мають три характерні області: І - сильна залежність ІК від UКБ, де обидва переходу транзистора відкриті і спостерігається режим насичення струму; ІІ - слабка залежність ІК від UКБ, де можливий активний (підсилювальний) режим роботи транзистора; ІІІ - пробій колекторного переходу. Таким чином, при вмиканні транзистора за схемою з СЕ спостерігається посилення за струмом, за напругою та за потужністю. Характеристики мало відрізняються від характеристик для схеми з СБ, за виключенням таких особливостей.Тиристорами називають напівпровідникові прилади з трьома (і більше) р-n-переходами, які мають два стійких стани: відкритий і закритий, головним застосуванням яких є безконтактна комутація електричних кіл.. Тиристор з двома виводами називають діодним тиристором або диністором. Тиристор з трьома виводами, з яких один є керувальним електродом, називають тріодним тиристором або триністором. Металевий контакт, прилеглий до крайньої р1-області, називають анодом (А), а контакт, прилеглий до крайньої n2-області, - катодом (К). У результаті процеси вмикання та вимикання тиристора здійснюються не за рахунок прикладеної між анодом та катодом напруги зовнішнього джерела (як у диністора), а за рахунок зміни струму Ікер - керувального електрода (КЕ ), який є вхідним електродом, увімкненим в електричне коло тиристора.Польовими транзисторами називають напівпровідникові прилади, в яких керування струмом, що тече по струмопровідному каналу, здійснюється поперечним електричним полем. ПТ на відміну від біполярних є уніполярними напівпровідниковими приладами, оскільки протікання в них струму обумовлено дрейфом основних носіїв заряду одного знаку (або електронів, або дірок) через керований поперечним електричним полем канал p-або n-типу. Оскільки діелектриком зазвичай є оксид (SIO2), то транзистори зі структурою метал-оксид-напівпровідник називають МОН-транзисторами. Прилад складається з пластини кремнію електропровідністю n-типу, що являє собою канал ПТ, до торців якої приєднані два металеві контакти, які називають витоком та стоком. Електрод, від якого починається рух носіїв заряду у каналі, - це витік (В), електрод, що приймає ці носії, - стік (С).
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
