Дослідження впливу особливостей розподілу електронної щільності на фізичні властивості купратів та рідкісноземельних оксидів. Розрахунок багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв"язку і великим числом атомів в елементарній комірці.
При низкой оригинальности работы "Електронна щільність і градієнт електричного поля в купратах та рідкісноземельних оксидах", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Теорія функціоналу щільності являє собою альтернативний підхід до проблеми і основною змінною даної ідеології являється електронна щільність, яка, відповідно до теореми Хоенберга - Кона [1], повністю визначає усі властивості електронної структури системи. Проте максимально строгі, послідовні, але при цьому і досить складні, методи функціоналу щільності, які вимагають серйозних обчислювальних можливостей, не можуть повністю задовольнити усі зростаючі потреби у розрахунках з перших принципів. За цим методом вдається запобігти рішення спектральної задачі як проміжного етапу, і електронна щільність знаходиться як реакція електронної підсистеми на зовнішній потенціал. Рєзніком теорія являє собою ефективний інструмент для дослідження обумовлених розподілом електронного заряду фізичних властивостей багатокомпонентних сполук з великим числом атомів в елементарній комірці. Основу дисертації складають результати, отримані при виконанні державних бюджетних тем: “Теория взаимодействия элементарных возбуждений кристаллов с внешними полями” (1985-1990 гг., № гос. регистрации 01850082090); “Теоретическое исследование влияния структурных несовершенств на физические свойства гетерополярных материалов” (1990-1993 гг., № гос. регистрации 01900068148); “Электронные состояния, межатомные силы и флуктуации в идеальных и дефектных ВТСП-материалах” (1994-1995 гг., № гос. регистрации 0194UO11424); “Реальные кристаллические материалы в условиях сверхвысокого давления и внешних полей: спектры, свойства, переходы” (1997-2000 гг., № гос. регистрации 0197V008901); “Колективні явища в твердому тілі.Спектральні дослідження показують, що при зближенні іонів празеодиму і кисню до відстані меншої 2,38Е відбувається включення-електронів у хімічний звязок і утворення вібронних комплексів. Карти розподілу ЕЩ в площині Р3 (що перпендикулярна вісі с і проходить через рідкісноземельний іон) показують, що при заміні ітрію празеодимом практично нічого не змінюється і іони залишаються добре ізольованими від оточення. А саме, для системи в роботі [7] було показано, що хоча більшість із восьми атомів кисню, які оточують празеодим в даній системі, знаходяться на відстані 2,45 Е від центрального іону, але декілька звязків мають довжину від 2,30 до 2,15 Е. Але приведені результати можна повністю узгодити, якщо прийняти гіпотезу про те, що має місце стан електрон-вібронної динамічної рівноваги, тобто деякий час система перебуває у вібронному стані (довжина звязку менша 2,38 Е ), а деякий час-в електронному стані (довжина звязку більша 2,38 Е). Видно, що ЕЩ надпровідника р-типу змінюється регулярно від нуля в області кора іонів и і до ~ 14 електронів на комірку в проміжній частині.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Список литературы
Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas // Phys. Rev. B. - 1964.-V.136, N3. - P.864-871.
Резник И.М. Электронная плотность в теории свойств основного состояния кристаллов. - Киев: Наукова Думка, 1992. - 144с.
Kolmanovich V.Iu., Reznik I.M. Approximations of exchange-correlation energy by functionals depends on difference of coordinates // Phys. Stat. Sol. - 1984.- V.50.-P. 121-123.
Bachelet G.B., Hamann D.R., Schluter M. Pseudopotentials that work: From H to Pu. // Phys. Rev. B. - 1982. - V.26, N8. - P.4199-4228.
Guillaume M., Allenspach P., Henggeller W. et al. A systematic low-temperature neutron diffraction study of RBA2Cu3Ox (R-yttrium and rare-earthes, x=6 and 7) // J. Phys.: Condens. Matter.-1994.-V.6, N39.-Р.7963-7976.
Booth C.H., Bridges F., Boyce J.B. et al. Local disorder in the oxygen environment around praseodymium in Y1-XPRXBA2Cu3O7 from x-ray absorption fine structure // Phys. Rev. B. - 1994. - V.49, N9. - P.3432-3442.
Adelmann P., Ahrens R., Czjek G. et al. Structure and rare-earth magnetism in (Nd1-XGDX)2CUO4 // Phys. Rev. B. - 1992. - V.42, N6. - P.3619-3630.
Jayaraman A. Pressure - induced electronic collapse and semiconductor-to-metal transition in EUO // Phys. Rev. Lett.-1972.-V.29, N25. - P.1674-1676.
Основний зміст диссертаційної роботы викладений в наступних публікаціях: Babenko V.V., Bootko V.G., Reznik I.M. Theoretical predictions of XRPE- and NQR-spectra of high Tc superconductors from non-empirical electron density calculations // Progress in High Temperature Superconductivity. - 1991. - V.32. - P.385-389.
Бабенко В.В., Буш А.А., Бутько В.Г., Дорошев В.Д., Резник И.М., Савоста М.М., Соловьев Е.Е. Электрические квадрупольные взаимодействия в при высоких давлениях: Эксперимент и теория // ФТТ. - 1994. - Т.36, №2. - С.241-255.
Волошин В.А., Михеенко П.Н., Бабенко В.В., Бутько В.Г., Резник И.М., Южелевский Я.И. Изменение электронной плотности в кристаллах YBA2Cu2O7 при замещении Y 3 ионом Pr 3 // ФНТ.- 1995.- Т.21, №5.- С.514-517.
Бабенко В.В., Бутько В.Г., Волошин В.А., Резник И.М., Фоскарино Е.В. Электронная плотность предельно слоистых сверхпроводников p и n типов // Письма в ЖЭТФ. - 1995. - Т.61, №8. - С.643-645.
Бабенко В.В., Бутько В.Г., Волошин В.А., Гусев А.А., Резник И.М., Фоскарино Е.В. Распределение электронной плотности в с празеодимом смешанной валентности // ФТВД. - 1996. - Т.6, №3. - С.54-62.
Бабенко В.В., Бутько В.Г., Волошин В.А., Резник И.М., Фоскарино Е.В. Состояние иона празеодима в системе YBACUO // ФНТ. - 1996. - Т.22, №11. - С.1152-1155.
Бутько В.Г., Гусев А.А. Валентная электронная плотность кристаллов с различным типом химической связи // ФТВД. - 2001. - Т.11, №4.-С.64-68.
Бутько В.Г., Волошин В.А., Гусев А.А. О возможном изменении валентности редкоземельного иона под влиянием высокого давления // ФТВД. 2003. - Т.13, №1. - С.19-28.
Бутько В.Г., Волошин В.А., Гусев А.А., Шевцова Т.Н. Влияние сверхвысокого давления на // ФТВД. - 2004. - Т.14, №1. - С.7-15.
Бутько В.Г., Волошин В.А., Гусев А.А. Изменение электронной плотности в EUO при структурном фазовом переходе, инициируемым высоким давлением // ФТВД. - 2005. - Т.15, №3. - С.23-25.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
