Опис електронних кореляцій в рамках моделі Габбарда та пояснення особливостей фізичних властивостей кристалів з вузькими зонами провідності. Перехід метал-діелектрику в парамагнітній фазі, побудова його фазової діаграми в координатах тиск-температура.
Нестандартна поведінка та широкий спектр фізичних властивостей кристалів з вузькими зонами провідності (прикладом їх є сполуки перехідних металів) зумовлюють значний практичний інтерес та викликають інтенсивні дослідження, як теоретичні, так і експериментальні, цих сполук. Гамільтоніан моделі містить два енергетичних параметри: матричний елемент переносу електрона з вузла на сусідній вузол гратки, який не залежить від заселеності вузлів, та параметр внутрішньоатомного кулонівського відштовхування двох електронів з протилежними спінами. Проте теоретичний аналіз, з однієї сторони, і наявність експериментальних даних, з іншої, вказують на принципову необхідність узагальнення моделі Габбарда врахуванням корельованого переносу електронів (Л. На цій основі можна інтерпретувати особливості фізичних властивостей вузькозонних матеріалів, які модель Габбарда нездатна пояснити. Запропоновано підхід, який дозволяє в рамках узагальненої моделі Габбарда пояснити спостережувану в деяких сполуках перехідних металів стрибкоподібну зміну енергії активації в точці n=1 із зміною концентрації електронів. електронна кореляція модель габбардУ першому розділі розглянуто узагальнення моделі Габбарда врахуванням корельованого переносу електронів, сформульовано гамільтоніан моделі в електронних операторах та операторах Габбарда, проаналізовано сучасний стан досліджень електронних кореляцій в узагальненій моделі Габбарда. Розглянуто можливість узагальнення моделі для орбітально виродженої зони; показано, що модель орбітально невиродженої зони може бути використана для опису електричних властивостей сполук перехідних металів, в яких провідність зумовлена d-електронами. ефективний інтеграл переносу між найближчими сусідніми вузлами гратки, n - концентрація електронів; t0, J (ikjk) - відповідно матричні елементи електронно-йонної та електронно-електронної взаємодій, побудовані на функціях Ваньє, В моделі, яка описується гамільтоніаном (1), перенос електрона з одного вузла на інший корелюється заселеністю вузлів, між якими відбувається перенос (з інтегралом переносу T2), а також заселеністю найближчих сусідніх вузлів (з інтегралом переносу T1), яка врахована в наближенні Гартрі-Фока (вираз (5)). При заданих U, t" (постійний зовнішній тиск) зростання концентрації полярних станів із збільшенням температури приводить до того, що система може переходити із стану з ?Е?0 в стан з ?Е>0 (це є наслідком того, що енергетична щілина збільшується при зростанні концентрації полярних станів), тобто може відбуватися перехід з металічного в діелектричний стан. Якщо перехід з металічного стану в діелектричний відбувається в обох моделях при заданих значеннях U/ , то в узагальненій моделі Габбарда з корельованим переносом цей перехід відбувається при менших температурах, ніж в моделі Габбарда (корельований перенос суттєво понижує температуру переходу). Хімічний потенціал узагальненої моделі Габбарда з корельованим переносом суттєво залежить не тільки від параметрів w та , але й також стає температурно залежним (на відміну від хімічного потенціалу моделі Габбарда), причому із спаданням температури хімічний потенціал узагальненої моделі Габбарда швидко зростає; ця залежність є різною для різних значень параметрів корельованого переносу ?1, ?2.
План
Основний зміст роботи
Список литературы
1. Дідух Л., Ганкевич В., Довгопятий Ю. Перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами // Журн. фіз. досл. - 1998. - Т.2, № 3. - С.362-370.
2. Didukh L., Hankevych V., Dovhopyaty Yu. Metal-insulator transition: а new mean-field approximation // Physica B. - 1999. - vol.259-261. - p.719-720.
3. Didukh L. and Hankevych V. Metal-insulator transition in а generalized Hubbard model with correlated hopping af half-filling // Phys. Stat. Sol. (B). - 1999. - vol.211, No.2. - p.703-712.
4. Didukh L., Hankevych V. Temperature-induced metal-insulator transition in а non-symmetric Hubbard model at half-filling // Condensed Matter Physics. - 1999. - vol.2, No.3 (19). - p.447-452.
5. Дидух Л.Д., Ганкевич В.В. О корреляционных эффектах в узкозонной модели с электрон-дырочной асимметрией // Физика низких температур. - 1999. - Т.25, № 5. - С.481-486 [Low Temp. Phys. - 1999. - vol.25, No.5. - p.354-358].
6. Didukh L, Skorenkyy Yu., Dovhopyaty Yu., and Hankevych V. Metal-insulator transition in а doubly orbitally degenerate model with correlated hopping // Phys. Rev. B. - 2000. - vol.61, No.12. - p.7893-7908.
7. Didukh L, Hankevych V., and Skorenkyy Yu. Some low-temperature properties of а generalized Hubbard model with correlated hopping // Physica B. - 2000. - vol.284-288. - p.1537-1538.
8. Didukh L, Skorenkyy Yu., Dovhopyaty Yu., and Hankevych V. Temperature-induced MIT in doubly degenerate Hubbard model // Physica B. - 2000. - vol.284-288. - p. 1948-1949.
9. Дідух Л., Ганкевич В., Довгопятий Ю. Перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами. - Львів: 1997. - 18 с. (Препр. / НАН України. Інститут фізики конденсованих систем; ІСМР-97-26U).
10. Ганкевич В. Дослідження переходу метал-діелектрик під зовнішнім тиском у вузькозонній моделі з корельованим переносом електронів // Вісник Терн. держ. техн. ун-ту. - 1998. - Т.3, № 1. - С.103-106.
11. Didukh L., Hankevych V., Dovhopyaty Yu. Metal-insulator transition: а new mean-field approximation // Abstracts of the International Conference on Strongly Correlated Electron Systems SCES"98. - Paris (France). - 1998. - p.54.
12. Didukh L. and Hankevych V. Temperature-induced metal-insulator transition in а narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling // Abstracts of the INTAS-Ukraine workshop on condensed matter physics. - Lviv. - 1998. - p.105.
13. Didukh L, Hankevych V., and Skorenkyy Yu. Some low-temperature properties of а generalized Hubbard model with correlated hopping // Abstracts of XXII International Conference on Low Temperature Physics. - Espoo and Helsinki (Finland). - 1999. - p.244.
14. Didukh L, Hankevych V., Skorenkyy Yu. On properties of а generalized Hubbard model with correlated hopping at half-filling // Abstracts of the International Conference on Strongly Correlated Electron Systems SCES"99. - Nagano (Japan). - 1999. - p.162.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
