Характеристика загальних властивостей хвильових функцій і спектра обмеженого ланцюжка потенціальних ям, який імітує напівпровідникові гетероструктури. Встановлення форми кривої дисперсійного закону в залежності від зовнішнього електричного поля.
Перший підхід базується на прямому конструюванні хвильових функцій і потенціалу за допомогою процедур самоузгодження. Так, наприклад, до важливих і не до кінця зясованих питань теорії слід віднести звязок ієрархії потенціалу з ієрархією спектра. Дотепер не можна вважати дослідженими границі застосування наближення трансляційної інваріантності й ефективної маси, у випадку обмежених напівпровідникових структур малого розміру. Особливість використаного в роботі підходу полягає в тому, що не робиться допущення про нескінченність кристала, а модель будується за допомогою техніки трансфер-матриць (матриць лінійного перетворення фазового вектора, складеного з хвильової функції та її похідної по координаті одновимірного потенціалу). Актуальність теми: При моделюванні складного руху електронів у шаруватих напівпровідникових системах у багатьох випадках для спрощення застосовують модель ефективної частинки, яка рухається в потенціалі, що обгинає дно зон провідності матеріалів гетероструктури.Трансфер-матриця ланцюжка сходинок знаходиться як послідовний добуток трансфер-матриць відповідних сходинок. В залежності від значення трека трансфер-матриці з (6) слідує два рівняння. Рівняння (7) описує делокалізовані стани в зоні, а рівняння (8) локалізовані приповерхневі стани, які розташовані в щілині між зонами. Огинаючі основного нулевого та самого верхнього N-го стану в зоні мають вигляд півхвилі. Якщо порівняти дисперсійні рівняння моделі обмеженого кристала і з відкритими граничними умовами (7), і моделі з використанням циклічних граничних умов (9), то легко помітити, що у випадку обмеженого кристала кількість рівнів у зоні буде вдвічі більшою ніж у випадку циклічних граничних умов.Глушко Е.Я., Евтеев В.Н. Глушко Е.Я., Евтеев В.Н Расчет иерархической сверхрешетки PBS-C в полиямной модели. К вопросу применимости понятия эффективная масса при расчете электронного спектра полупроводниковых композитных материалов в электрическом поле. Глушко Е.Я., Евтеев В.Н., Журавель Е.В., Линчук И.Л., Моисеенко М.В. Evteev V.N., Moiseenko M.V, Zhuravel E.V Two models of quantum bridges connected with semiconductors or metals.
План
Основний зміст роботиОсновний зміст дисертації опубліковано в роботах
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
