Вплив оболонки мікрогранул на характеристики люмінесценції. Виявлення механізмів фото- та електролюмінесценції. Формування енергетичних зон на основі сульфіду цинку. Причини та механізми деградації. Підвищення температурної та часової стабільності.
При низкой оригинальности работы "Електролюмінесцентні властивості випромінювачів на основі капсульованого люмінофору ZnS:Cu", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Вивчення цього явища в електролюмінофорах ZNS: Cu показало, що визначальними у втраті яскравості світіння є дифузійні процеси, які відбуваються на межі поділу ZNS - Cu2-XS. Одним із методів, який дозволяє побудувати кількісно енергетичні діаграми різноманітних сполук і діаграми енергетичних зон гетеропереходів, є метод лінійної комбінації атомних орбіталей і псевдопотенціалу розвинений в роботах У. Тематика досліджень відповідала планам науково-дослідних робіт ДВНЗ “Ужгородський національний університет” відповідно до програм “Стимульовані перетворення та оптична память в некристалічних та нано структурованих матеріалах для оптоелектроніки” (ДБ 406-2000, номер держреєстрації 0100U005335), “Специфіка створення і дослідження фізичних властивостей наноструктурованих матеріалів на основі світлочутливих халькогенідів та деяких оксидів” (ДБ 506-2003., номер держреєстрації 0103U001681) та програмі “Передові технології та дослідження” з фірмою “Люмітех” (Австрія) № 01/2003 від 03.01.2003 та № 01/2005 від 03.02.2005 р. § виявити відмінності у механізмах фото-та електролюмінесценції для люмінофорів ZNS: Cu ідентичного складу та структури; § створити модельні уявлення формування енергетичних зон для люмінофорів на основі сульфіду цинку з різними домішками в наближенні Хартрі-Фока та Хермана-Скіллмана, провести розрахунки ширини забороненої зони, рівня Фермі, порогу фотоемісії та домішкових станів у забороненій зоні;У другому розділі “Технологія виготовлення та методика дослідження електричних і оптичних параметрів електролюмінесцентних випромінювачів” аналізуються технологічні аспекти одержання ЕЛВ та методики їх дослідження, описано пристрій для дослідження деградації ЕЛВ за величиною відносної інтенсивності світіння. Електронні стани з енергією E3 утворюються звязуючими станами Zn 4s гомозвязків Zn-Zn. 1) у забороненій зоні додатково можуть утворюватись електронні стани E5, які відповідають гібридизованим станам міді (Cu sp3). Порівняння спектрів електролюмінесценції (Vеф = 115 В, ? = 400 Гц) зі спектрами фотолюмінесценції, викликаної лазерним опроміненням на довжині хвилі 630 нм (1,97 ЕВ), ЕЛВ одержаних на основі порошку марки “Durel D2” показало, що вони відрізняються (рис. Встановлено, що інтенсивність світіння ЕЛВ максимальна для випромінювачів, одержаних на основі капсульованого порошку марки “GG 43” і мінімальна для ЕЛВ, одержаних на основі капсульованого порошку марки “ANE 430”.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Список литературы
1. The study of the lifetime of ZNS-based luminescent films by using the devices of series LMS / K. Popovych, Yu. Nakonechny, I. Rubish, V. Gerasimov, G. Leising // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2003. - Vol. 6, No. 4. - P. 520-523.
2. Simulation of the electronic states in the band gap for ZNS: Cu, Cl crystallophosphors / N.D. Savchenko, T.N. Shchurova, K.O. Popovych, I.D. Rubish, G. Leising // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2004. - Vol. 7, No. 2. - P. 133-137.
4. Попович К. Характеристики та параметри електролюмінесцентних випромінювачів, одержаних на основі капсульованого люмінофору ZNS: Cu / К. Попович // Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. - 2008. - № 22. - С. 36-39.
5. Попович К. Розробка приладів серії LMS для тестування параметрів електролюмінесцентних плівок / К. Попович, Ю. Наконечний, Рони Зоттер Ричард Зоттер, В. Герасимов // Матер. XII Международной научно-технической конференции “Приборостроение - 2003”. - Винница - Кореиз (Украина). - 2003. - C. 22-25.
6. Розробка приладу для вимірювання часу життя електролюмінесцентних плівок з регульованою термостабілізацією / К. Попович, В. Герасимов, Г. Лайсинг, І. Рубіш // Сб. трудов Международной научно-технической конференции “Наука и предпринимательство 2005”. - Винница - Ялта (Украина). - 2005. - C. 74-76.
7. Електронна структура та пружні сталі плівок халькогенідних напівпровідників / Т.М. Щурова, М.Д. Савченко, К.О. Попович, Г. Лайзинг // Матер. X Міжнародної конференції з фізики i технології тонких плівок (МКФТТП-Х). - Т. 1. - Івано-Франківськ (Україна). - 2005. - С. 375-376.
8. Релаксаційні процеси в електролюмінофорах ZNS: Cu / К.О. Попович, І.Д. Рубіш, М.Д. Савченко, Г. Лайзинг // Матер. Міжнародної науково-практичної конференції “Структурна релаксація в твердих тілах”. - Вінниця (Україна). - 2006. - C. 151-153.
9. Popovych K.O. Energy band diagram for heterojunctions at nano scale in ZNS: Cu powder phosphors / K.O. Popovych, G. Leising // Mater. Int. Meeting “Clusters and nanostructured materials” (CNM" 2006). - Uzhgorod (Ukraine). - 2006. - P. 241-242.
10. Studying the lifetime characteristics of light radiation ZNS-based systems / K. Popovych, V. Gerasimov, G. Leising, I. Rubish // Mater. Int. Meeting “Clusters and nanostructured materials” (CNM" 2006). - Part 2. - Uzhgorod (Ukraine). - 2006. - P. 329.
11. Розрахунок ширини забороненої зони тонких плівок SIXTI1-XO2 / М.Д. Савченко, Т.М. Щурова, К.О. Попович, І.Д. Рубіш, Г. Лайзинг // Матер. ХІ Міжнародної конференції з фізики i технології тонких плівок та наносистем (МКФТТПН-ХІ). - Т. 1. - Івано-Франківськ (Україна). - 2007. - С. 161-162.
12. Попович К.О. Деградация электролюминофоров ZNS: Cu, Cl / К.О. Попович // Abstracts of the XXI International Conference “Relaxation Phenomena in Solids” (RPS 21). - Voronezh (Russia). - 2004. - P. 65.
13. Gap states in binary chalcogenide semiconductors / N. Savchenko, T. Shchurova, I. Rubish, K. Popovych, G. Leising // Abstracts of 7th International Conference on Physics of Advanced Materials (ICPAM-7). - Iasi (Romania). - 2004. - P. 161.
14. Surface and interface electronic states in ZNS: Cu, Cl powder phosphors / N.D. Savchenko, T.N. Shchurova, I.D. Rubish, K.O. Popovych, G. Leising // Abst. 16th Int. Vac. Congress/12th Int. Conf. Surface Sci./8th NANO (IVC-16/ICSS-12/NANO-8). - Part 2. - Venice (Italy). - 2004. - P. 618.
15. Електронні стани в електролюмінофорах ZNS: Cu, Cl / М.Д. Савченко, Т.М. Щурова, К.О. Попович, І.Д. Рубіш, Г. Лайзинг // Тези доповідей 2-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-2). - Т. 2. - Чернівці - Вижниця. - 2004. - С. 462.
16. Gap states in binary chalcogenide thin films / T. Shchurova, N. Savchenko, K. Popovych, G. Leising // Program and Book of Abstracts of 10th Joint Vacuum Conference (JVC 10). - Portoroz (Slovenia). - 2004. - P. 126.
17. Моделювання електронних станів у халькогенідних напівпровідниках / М.Д. Савченко, Т.М. Щурова, М.Ю. Баран, К.О. Попович, І.Д. Рубіш, Г. Лайзинг // Тези конференції “Нанорозмірні системи: електронна, атомна будова і властивості” (НАНСИС 2004). - Київ. - 2004. - С. 113.
18. X-ray microanalysis and energy band diagram for encapsulated ZNS: Cu electroluminescent phosphors / K.O. Popovych, N.D. Savchenko, I.D. Rubish, G. Leising // Abstr. 11th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA05). - Vienna (Austria). - 2005. - P. 261.
19. Nonlinear properties simulation for zinc chalcogenides / N. D. Savchenko, K. Popovych, T. Shchurova, I. Rubish, G. Leising // Book of Abstracts SSC 2006 7th International Conference on Solid State Chemistry (SSC 2006). - Pardubice (Czech Republic). - 2006. - P. 182-183.
20. Electronic states of impurities and defects in encapsulated ZNS: Cu electroluminescent phosphors / N. Savchenko, T. Shchurova, K. Popovych, G. Leising // Abst. 8th International Conference on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC’06). - Cadiz (Spain). - 2006. - P. 129.
21. Simulation of the surface bending of energy band for binary chalcogenide semiconductors / T. Shchurova, N. Savchenko, A. Kondrat, K. Popovych, V.M. Rubish, G. Leising // Тези доп. 2-ої Міжнародної науково-технічної конференції “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”. - Одеса (Україна). - 2006. - С. 209.
22. Surface bending of energy band for thin film of binary chalcogenides / T. Shchurova, N. Savchenko, A. Kondrat, K. Popovych, V.M. Rubish, G. Leising // Abs. 11th Joint Vacuum Conference (JVC 11). - Prague (Czech Republic). - 2006. - P. 79-80.
23. Electronic states of impurities and defects in encapsulated ZNS: Cu electroluminescent phosphors / N. Savchenko, T. Shchurova, A. Kondrat, K. Popovych, V.M. Rubish, G. Leising // Тези доповідей 3-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-3). - Т. 2. - Одеса (Україна). - 2007. - С. 326.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
