Екситони в напівпровідниках і наноструктурах - Реферат

бесплатно 0
4.5 84
Суть поняття екситону як квазічастинки. Рівняння Шредінгера для електрона й дірки, основи закону Кулона. Визначення енергії зв"язку екситону, перенос електричного заряду й маси, ефективність поглинання й заломлення світла на частоті екситонного переходу.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:


Аннотация к работе
Екситон (від лат. excito - збуджую), квазічастинка, яка представляє собою електронне порушення в діелектрику або напівпровіднику, що мігрує й не повязане з переносом електричного заряду й маси. Він пояснював відсутність фотопровідності в діелектриків при поглинанні світла тим, що поглинена енергія витрачається не на створення носіїв струму, а на утворення Екситонів У молекулярних кристалах екситон являє собою елементарне порушення електронної системи окремої молекули, яке завдяки міжмолекулярним взаємодіям поширюється у вигляді хвилі (екситон Френкеля). Енергія звязку екситону, тобто енергія, необхідна для того, щоб розірвати екситон на електрон і ефективний радіус екситону (борівский радіус екситона) де е - заряд електрона, h - постійна Планка, індекс 3D указує на можливість для екситону рухатися у всіх трьох напрямках (на його тривимірність). Отже, дві обставини перешкоджають створенню напівпровідникових приладів, що працюють на эксиотонних переходах: 1) мала енергія звязку екситонів і розпад екситонів при кімнатній температурі для більшості напівпровідників, 2) малий внесок эксиотонних станів в оптичні константи напівпровідників (малі сили осцилляторів екситонних переходів) через більші значення екситонного радіуса. Однак воно не може іонізувати екситон із двох причин: 1) електрон і дірка не можуть покинути квантову яму - мала ймовірність туннелювання крізь барєри із широкозонного напівпровідника GAALAS, 2) оскільки квантова яма вузька в порівнянні з діаметром екситону, то між електроном і діркою залишається сильне кулоновское притягання, навіть якщо вони перебувають у протилежних стінок квантової ями.

Список литературы
1. Kelly M.J. Low-Dimensional Semiconductors: Materials, Physics, Technology, Devices. Oxford: Clarendon Press, 1995.

2. Keldysh L.V. Excitons in Semiconductor-Dielectric Nanostructures // Phys. status solidi. 1997. Vol. 164, № 3.

3. Днепровский В.С., Жуков Е.А., Муляров Е.А., Тиходеев С.Г. Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице // ЖЭТФ. 1998. Т. 113. Авг.

4. Белявский В.И. Экситоны в низкоразмерных системах // Соросовский Образовательный Журнал. 1997. № 5. С. 93-99.

Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?