Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій та дифракції повільних електронів на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання шаруватих кристалів In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.
При низкой оригинальности работы "Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%