Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
При низкой оригинальности работы "Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
При відсутності зовнішніх полів носії струму в тілах, які проводять струм, перебувають лише в тепловому русі Якщо ж зразок провідного тіла розмістити в зовнішньому полі Е, то характер руху носіїв зміниться, поряд з тепловим рухом виникне направлений рух позитивних зарядів поля і негативних зарядів - проти напрямку поля. Електрони, що перейшли зону провідності під впливом електричного поля, утворюють струм з переходом електрона у верхню зону провідності, у валентній зоні зявляються вільні енергетичні рівні, або позитивні дірки. Якщо у власному напівпровіднику деякі атоми замінити атомами з іншою валентністю (наприклад, атоми Ge замінити атомами As), одержимо домішковий напівпровідник. В одних випадках вони є додатковими постачальниками електронів у кристалі (атоми таких домішок називаються донорами), а в інших - центрами захоплення електронів у кристалах (атоми таких домішок називаються акцепторами - одержувачами). Коли в кристалічній гратці атом германію заміщується атомом мишяку, чотири електрони мишяку утворюють міцний ковалентний звязок з чотирма сусідніми атомами германію, а пятий електрон мишяку слабо звязаний із своїм атомом, легко робиться вільним навіть при кімнатній температурі.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
