Дослідження кристалічної та електронної структури напівпровідникового твердого розчину HfNiSn1-xSbx у діапазоні х = 0–0,1. Аналіз механізмів провідності напівпровідника. Умови отримання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності.
При низкой оригинальности работы "Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNiSn1-xSbx І. Кристалічна та електронна структури", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%