Методи створення відтворюваних поверхнево-бар’єрних структур метал/p-CuInSe2 (метал – Іn, Sn та Zn), визначення та інтерпретація механізмів проходження струму. Проведення зіставлення експериментальних результатів з відомими теоретичними виразами.
При низкой оригинальности работы "Дослідження фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Їх вивчення також дає змогу отримати додаткову інформацію про деякі важливі параметри базового матеріалу та особливості поверхнево-барєрних структур на інших халькопіритних напівпровідниках. Тому виникає необхідність вивчення процесів формування ГП, фотогетеротранзисторів та квантово-розмірних структур, створених термічним окисленням INSE на повітрі - методом, для якого, на відміну від традиційних технологій створення напівпровідникових структур, характерні унікальна простота та дешевизна. Робота є складовою частиною науково-дослідних робіт, які виконувалися в Чернівецькому відділенні Інституту проблем матеріалознавства, зокрема теми 0104U006143 „Розробка технології радіаційно стійких напівпровідникових матеріалів для інфрачервоної оптоелектроніки та спінтроніки”, яка виконувалась за постановою Бюро ВФТПМ Президії НАН України від 13.05.2004 р., Протокол №8 та теми 0105U007445 „Розробка технології одержання напівпровідникових наноматеріалів”, яка виконується за Розпорядженням Президії НАН України від 30.05.2005 р., Протокол №334. Метою роботи є створення поверхнево-барєрних діодів на основі CUINSE2; анізотипних та ізотипних ГП і фототранзисторів (ФТ), квантово-розмірних структур на основі INSE; дослідження їх основних електричних і фотоелектричних властивостей та впливу g-випромінювання на структуру власний оксид - напівпровідник. Зясовано закономірності формування власного оксиду на поверхні INSE внаслідок довготривалого термічного окислення та досліджено його вплив на електричні, фотоелектричні, зокрема спектральний розподіл фоточутливості, властивості ГП власний оксид - INSE.Приведені дані свідчать, з одного боку, про значний науковий та практичний інтерес до згаданих напівпровідників та діодів на їх основі, а з другого - про обмеженість чи відсутність комплексних досліджень механізмів формування електричних та фотоелектричних характеристик структур метал/CUINSE2, закономірностей формування власного оксиду в INSE внаслідок довготривалого термічного окислення. У третьому розділі приводяться результати комплексних досліджень контакту метал - р-CUINSE2 (метал - In, Sn чи Zn) зокрема, вивчено їх електричні, фотоелектричні та ємнісні характеристики. У четвертому розділі приводяться результати досліджень процесу формування барєра та зміни його характеристик унаслідок довготривалого (протягом кількох діб) термічного окислення на повітрі INSE обох типів провідності при температурі 450ОС. Всі спостережувані закономірності щодо електричних та фотоелектричних параметрів ГП окисел/n-INSE можна звязати зі зміною хімічного складу власного оксиду та товщини в процесі формування потенціального барєра між окислом і напівпровідником. У пятому розділі досліджуються електричні та фотоелектричні властивості подвійних симетричних ГП оксид - p-INSE - оксид та оксид - n-INSE - оксид на предмет виявлення фототранзисторного ефекту.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Список литературы
Ковалюк З.Д., Орлецький В.Б., Сидор О.М., Нетяга В.В. Дослідження електричних та оптичних властивостей барєрів Шоткі In/p-CUINSE2 // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - Т. 4, № 3. - С.401-406.
Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д., Сидор О.М. Гетеропереходи на основі власний оксид - p-INSE // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, Електроніка. - 2004. В.201. - С.66-68.
Ковалюк З.Д., Орлецкий В.Б., Сидор О.Н., Нетяга В.В. Поверхностно-барьерные переходы олово - диселенид индия и меди // Письма в ЖТФ. - 2004. - Т. 30, № 10. - С.12-16.
Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Mintyanskii I.V., Savchuk A.I., Sydor O.M. g-Radiation influence on the photoelectrical properties of oxide - p-INSE heterostructure // Mater. Sci. Eng. B. - 2005. - Vol. 118. - P.147-149.
Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Sydor O.M. Photoelectrical properties of heterojunctions connected with Van-der-Waals forces // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2005. - Vol.7, No.2. - P.903-906.
Сидор О.М. n - n-INSE - n фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія фізика. - 2005. - В.17. - С.95-97.
Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Нетяга В.В. Механизмы токопереноса и фоточувствительность диодов Шоттки Zn/CUINSE2 // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т.32, №10. - С.88-94.
Gonzalez-Hernandez J., Horley P.P., Gorley P.N., Khomyak V.V., Savchuk A.I., Kovalyuk Z.D., Sydor O.М. Growth and comparative characterization of Cu(In,Ga)Se2 single crystals and thin films // Abstracts of the European Material Research Society Spring Meeting 2002 E-MRS 2002, Symposium B, - Strasbourg, France, June 18 - 21, 2002. - Р.B4.
Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Zaslonkin A.V., Sydor O.M. INSE Solar Cells // Proceedings of International conference “Science for Materials in the Frontier of Centuries: Advantages and Challenges”. - Kyiv, Ukraine, November 4 - 8, 2002. - P.127-128.
Сидор О.М. Створення та дослідження фоточутливих структур на основі барєру Шоткі In/CUINSE2 // Тезиси доповідей Всеукраїнської конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики ЕВРИКА-2003, Львів, 21 - 23 травня, 2003. - С.146.
Gonzales-Hernandez J., Vorobiev Yu.V., Horley P.P., Gorley P.N., Khomyak V.V., Savchuk A.I., Kovalyuk Z.D., Sydor O.М. Structural and optical properties of Cu(In,Ga)Se2 single crystals and thin films // Abstracts of the European Material Research Society Spring Meeting 2003 E-MRS 2003, Symposium D, - Strasbourg, France, June 10 - 13, 2003. - Р.D28.
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.М., Сидор О.М. Перспективи створення сонячних елементів на основі шаруватого INSE // Тезиси ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, - Чернівці-Вижниця, 20 - 24 вересня, 2004. - C.30.
Катеринчук В.М., Сидор О.М. Дослідження фоточутливих гетероструктур оксид/n-INSE, отриманих методом термічного окислення // Тезиси ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, - Чернівці-Вижниця, 20 - 24 вересня, 2004. - C.102.
Kovalyuk Z.D., Sydor О.M. Photovoltaic effect of n-INSE - p-CUINSE2 optical contact // Abstracts of the 2nd International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics, - Chisinau, Moldova, September 21-26, 2004. - P.146.
Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д., Сидор О.М. Динаміка структурного переходу в плівках власного оксиду шаруватих кристалів INSE // Тезиси X Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок МКФТТП-X, - Івано-Франківськ, 16 - 21 травня, 2005. - С.323-324.
