Аналіз динаміки гратки, аномалій термодинамічних властивостей при структурних фазових переходах та дипольне упорядкування для анізотропних кристалів. Встановлення місця статистичного розподілу взаємозаміщення атомів халькогену в аніонній підгратці.
При низкой оригинальности работы "Динаміка гратки і структурні фазові переходи в гіпо(селено)-дифосфатах з шаруватою кристалічною структурою", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Опубліковані раніше результати рентгеноструктурних та діелектричних досліджень стосовно “двомірних” кристалів не описують повної картини процесів упорядкування. Тому, є підстави для дослідження цих процесів у шаруватих сполуках типу MM”Р2Х6 у порівнянні із кристалами, що володіють “тримірною” кристалічною граткою. Проведений аналіз динаміки гратки та аномалій термодинамічних властивостей при структурних фазових переходах з різними типами дипольного упорядкування щодо анізотропних кристалів типу MM”Р2Х6, які можуть бути описані в моделях “двомірної” та “тримірної” граток, дозволяє стверджувати: Для змішаних кристалів Sn2P2(SEXS1-x)6 концентраційна залежність інтенсивностей смуг КР, що багатомодово перебудовуються, для внутрішніх валентних коливань аніонів [P2SEMS6-m]4-задовільняє біноміальному розподілу, чим підтверджується статистичний характер взаємозаміщення атомів халькогену в аніонній підгратці. Зміна геометрії аніонів [P2S6]4-при переході від 3D (Sn2Р2S6) до 2D (SNP2S6) структур зумовлює як трансформацію коливного спектру кристалів (зміна характеру нормальних коливань, перерозподіл інтенсивностей їхніх смуг в спектрах КР), так і зростання електрон-фононної взаємодії (збільшення розмиття урбахівського краю оптичного поглинання). Температурні зміни краю оптичного поглинання, перерозподіл інтенсивності між низькочастотними смугами спектру КР в кристалах CUINP2S6 відбуваються за рахунок: а) температурного розупорядкування, викликаного сильним фононним ангармонізмом; б) динамічного структурного розупорядкування, викликаного стрибковим рухом іонів міді як в середині шарів, так і у міжшаровому ван-дер-ваальсівському просторі (іонною провідністю); в) статичного структурного розупорядкування.Описано основні методики, за якими проводилися дослідження спектрів комбінаційного розсіювання світла, оптичного двопроменезаломлення та спектрів краю оптичного поглинання. У другому розділі на прикладі “тримірних” кристалів Sn2P2(SEXS1-x)6 досліджено характер розподілу взаємозаміщень атомів по вузлам кристалічної гратки. Проведений розділ контурів та визначення інтегральних інтенсивностей спектральних смуг для коливань аніонів показали, що для змішаних кристалів Sn2P2(SEXS1-x)6 концентраційна залежність інтенсивностей смуг, які багатомодово перебудовуються, в спектрі КР для внутрішніх валентних коливань аніонів [P2SEMS6-m]4-задовільняє біноміальному розподілу. Проаналізовано зміни аномалій цих температурних залежностей в околі сегнетоелектричного фазового переходу другого роду при зростанні дефектності кристалічної структури та при індукованому зміною хімічного складу кристалів наближенні фазового переходу до точки Ліфшиця на фазовій діаграмі. Визначено, що для твердих розчинів Sn2P2(SEXS1-x)6 при наближенні до точки Ліфшиця (ТЛ), і водночас до трикритичної точки Ліфшиця, спостерігається кроссовер до більш виразної трикритичної поведінки - зменшується індекс для параметра порядку ~ ~ в сегнетоелектричній фазі та збільшується амплітуда степеневої функції ~ ~ в параелектричній фазі.Порівняння отриманих даних для шаруватого SNP2S6 з результатами для “тримірного” кристалу Sn2Р2S6 дало змогу прослідкувати за змінами, що відбуваються в коливному спектрі та спектрі краю оптичного поглинання при переході від 2D до 3D структур. Проведені температурні дослідження спектрів комбінаційного розсіювання світла в геометрії та краю оптичного поглинання свідчать про відсутність фазових переходів в кристалі SNP2S6 у температурному інтервалі 77 K <T <573 К. Таким чином, зміна геометрії аніонів [P2S(Se)6]4-при переході від 3D (Sn2Р2S6) до 2D (SNP2S6) структур зумовлює, як трансформацію коливного спектру кристалів (зміна жорсткості нормальних коливань, перерозподіл інтенсивностей їхніх смуг в спектрах КР), так і зростання електрон-фононної взаємодії (збільшення розмиття урбахівського краю оптичного поглинання). При Т > Тс має місце урбахівська поведінка краю оптичного поглинання, а температурні зміни краю поглинання відбуваються за рахунок всіх типів розупорядкувань: а) температурного розупорядкування, викликаного сильним фононним ангармонізмом; б) динамічного структурного розупорядкування, викликаного стрибковим рухом іонів міді як в середині шарів, так і у міжшаровому просторі; в) статичного структурного розупорядкування, зумовленого нерівномірним розподілом атомів міді серед трьох можливих позицій Cu1, Cu2 та Cu3. Результати досліджень краю оптичного поглинання кристалів CUINP2S6 з різних технологічних партій свідчать, що в залежності від умов вирощування кристалів змінюються значення температури ФП, параметри урбахівського краю поглинання та параметри ЕФВ.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ
Список литературы
Folk R. Multicritical behavior in ferroelectrics // Phase Transitions. - 1998. - Vol. 67. - P. 645-655.
Johnson S.R., Tiedje T. Temperature dependence of the Urbach edge in GAAS // J.Appl.Phys. - 1995. - Vol. 78, № 3. - P. 5609-5613.
Baltrunas D., Grabar A.A., Mazeika K., Vysochanskii Yu.M. Temperature investigations of the crystals Sn2P2S6 and Sn2P2Se6 by means 119Sn Messbauer spectroscopy // Condens. Matter. - 1999. - Vol. 11. - P. 2983-2992.
Curro G.M., Grasso V., Neri F., Silipigni L. An X-ray photoemission study of Sn2P2S6 monoclinic II phase // IL Nuovo Cimento. - 1998. - Vol. 20D, № 7-8. - P. 1163-1170.
Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., Von Der Muhll R., Ravez J. Ferielectric ordering in lamellar CUINP2S6 // Phys. Rev. B. - 1997. - Vol. 56, № 9. - P. 10860-10868.
Kranjcec M., Desnica I.D., Studenyak I.P., Kovacs Gy.Sh., Potory M.V., Voroshilov Yu.V., Gebesh V.Yu. Preparation and fundamental optical absorption edge of In4(P2Se6)3 single crystals // Mat. Res. Bull. - 1999. - Vol. 34, №14-15. - P. 2297-2307.
СПИСОК ПУБЛІКАЦІЙ АВТОРА ПО ТЕМІ ДИСЕРТАЦІЇ
Митровцій В.В., Височанський Ю.М., Грабар О.О., Мотря С.Ф., Перечинський С.І. Мультикритична поведінка власних одновісних сегнетоелектриків типу Sn2P2S6 // Вісн. УЖДУ. Сер. Фізика. - 1998. - № 3. - С. 82-91.
Височанський Ю.М., Ковач Д.Ш., Митровцій В.В., Микайло О.А, Студеняк І.П. Природа хімічного звязку та край власного поглинання в кристалах CUINP2S6 // Вісн. УЖДУ. Сер. Фізика. - 1998. - № 3. - С. 123-129.
Студеняк І.П., Ковач Д.Ш., Митровцій В.В., Гурзан М.І., Микайло О.А., Височанський Ю.М. Вплив технологічних умов вирощування на фазовий перехід та край оптичного поглинання кристалів CUINP2S6 // Вісн. УЖДУ. Сер. Фізика. - 1999. - № 4. - С. 131-138.
Студеняк І.П., Митровцій В.В., Ковач Д.Ш., Микайло О.А., Гурзан М.І., Височанський Ю.М. Край оптичного поглинання та фазові переходи в кристалах CUINP2Se6 // Вісн. УЖДУ. Сер. Фізика. - 1999. - № 5. - С. 5-10.
Височанський Ю.М., Студеняк І.П., Митровцій В.В., Молнар О.О., Ковач Д.Ш., Микайло О.А., Кажіпе В. Дослідження природи проміжкової квазі-антиполярної фази в кристалах CUCRP2S6 // Вісн. УЖДУ. Сер. Фізика. - 1999. - № 5. - С. 68-77.
Vysochanskii Yu.M., Mitrovcij V.V., Grabar A.A., Perechinskii S.I., Motrja S. F., Kroupa J. Birefringence investigations of the Sn2P2(SEXS1-x)6 uniaxial ferroelectrics behavior near the Lifshits point // Ferroelectrics. - 2000. - Vol. 237. - P. 193-200.
Височанський Ю.М., Грабар О.О., Митровцій В.В., Перечинський С.І. Аномальна поведінка в критичній області та ефекти довгочасової релаксації для сегнетоелектрика напівпровідника Sn2P2S6 по даних дослідження двопроменезаломлення // Зб. тез Міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. - Ужгород. - 1998. - С. 64.
Vysochanskii Yu.M., Grabar A.A., Mitrovcij V.V., Motrja S.F., Perechinskii S.I. Behavior of the uniaxial ferroelectrics near the Lifsnitz point of the data of birefringence investigations // Abstr. IV Ukrainian-Polish meeting “Phase transitions and ferroelectric physics”. - Dniepropetrovsk. - 1998. - P. 56.
Высочанский Ю.М., Грабар О.О., Митровций В.В., Перечинский С.И. Критическое поведение кристаллов в окрестности дипольной точки Лифшица по данным исследований двулучепреломления в сегнетоэлектриках Sn2P2(SEXS1-x)6 // Тезисы докладов Междунар. конф. “Фазовые переходы и критические явления в конденсированных средах”. - Махачкала (Россия). - 1998. - С. 89.
Височанський Ю.М., Грабар О.О., Митровцій В.В., Мотря С.Ф., Перечинський С.І., Стойка І.М. Поведінка сегнетоелектриків Sn2P2(SEXS1-x)6 в критичній області по даних дослідження двопроменезаломлення // Тези доповідей IX Науково-технічної конференції “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогалогенідів”. - Ужгород. - 1998. - С. 123.
Студеняк І.П., Гурзан М.І., Митровцій В.В., Ковач Д.Ш., Височанський Ю.М., Микайло О.А. Вплив технологічних умов вирощування на фазовий перехід та край поглинання кристалів CUINP2S6 // Тези доповідей Міжнародн. школи-конференції з акт. пит. фізики напівпровідників. - Дрогобич. - 1999. - С. 94.
Vysochanskii Yu.M., Mitrovcij V. V., Grabar A. A., Motrja S. F., Perechinskii S.I. Kroupa J. Birefringence investigations of the Sn2P2(SEXS1-x)6 uniaxial ferroelectrics behavior near the Lifshits point // Abstr. 9th European meeting on ferroelectricity. - Praha . - 1999. - P. 393.
Студеняк І.П., Височанський Ю.М., Митровцій В.В., Ковач Д.Ш., Микайло О.А., Кажіпе В. Вплив температурного та структурного розупорядкування на процеси оптичного поглинання в сегнетоелектриках CUINP2S6 // Тези доповідей Першої Української школи-семінару з фізики сегнетоелектриків та споріднених матеріалів. - Львів. - 1999. - С. 83.
Mitrovcij V.V., Stefanovich V.A., Bokotey A.A., Mikajlo O.A., Gurzan M.I., Pritz I.P., Vysochanskii Yu.M. The latice vibrations temperature dependence for the crystals in Sn(Pb)-P-S(Se) // Abstr. Open Ukrainian-French meeting of ferroelectricity. - Kiev. - 2000. - P. 70.
Studenyak I.P., Mitrovcij V.V., Kovacs Gy.Sh., Mikajlo O.A., Gurzan M.I., Vysochanskii Yu.M. Temperature variation of optical absorption edge in Sn2P2S6 and SNP2S6 crystals // Abstr. Open Ukrainian-French meeting of ferroelectricity. - Kiev. - 2000. - P. 84.
Studenyak I.P., Mitrovcij V.V., Kovacs Gy.Sh., Mikajlo O.A., Gurzan M.I., Vysochanskii Yu.M. Influence of cationic substitution on optical absorption processes in CUMP2S6 (M=In, Cr) layered crystals // Abstr. European physics conference “Elementary processes in atomic systems”. - Uzhgorod. - 2000. - P. 134.
Vysochanskii Yu.M., Molnar A.A., Mitrovcij V.V., Gurzan M.I. Phase transitions in layered chalcogenides CUMP2X6 (M - In, Cr; X - S, Se) // Abstr. XXV International school and IV Polish-Ukrainian meeting on ferroelectric physics. - Krakow (Poland). - 2000. - P. 16.
Studenyak I.P., Mitrovcij V.V., Stefanovich V.A., Kovacs Gy.Sh., Gurzan M.I., Vysochanskii Yu.M. Raman scattering and optical absorption edge studies of CUINP2S6 and CUINP2(S0.95Se0.05)6 layered ferrielectrics // Abstr. XXV International school and IV Polish-Ukrainian meeting on ferroelectric physics. - Krakow (Poland). - 2000. - P. 49.
Височанський Ю.М., Гурзан М.І., Молнар О.О., Митровцій В.В., Стефанович В.О., Кажіпе В.Б. Структурні перетворення та морфотропні фазові границі в шаруватих халькогенідах системи MM”Р2Х6 (М, M” - Cu, In, Cr, Cd, Sn; X - S, Se) // Тези доповідей X Науково- технічної конференції ”Складні оксиди, халькогеніди та галогеніди для функціональної електроніки”. - Ужгород. - 2000. - С. 29.
Студеняк І.П., Митровцій В.В., Ковач Д.Ш., Микайло О.А., Гурзан М.І., Корда Н.Ф., Височанський Ю.М. Вплив аніонного заміщення на параметри краю оптичного поглинання в кристалах CUINP2X6 (X = S, Se) // Тези доповідей X Науково-технічної конференції ”Складні оксиди, халькогеніди та галогеніди для функціональної електроніки”. - Ужгород. - 2000. - С. 121.
Размещено на .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
